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: Suntsu晶振,進(jìn)口OSC振蕩器,SXO22C貼片晶振

2520mm體積的高頻晶振,可以說(shuō)是目前小型數(shù)碼產(chǎn)品的福音,目前超小型的智能手機(jī)里面所應(yīng)用的就是小型的石英晶振,該產(chǎn)品最適用于無(wú)線通訊系統(tǒng),無(wú)線局域網(wǎng),已實(shí)現(xiàn)低相位噪聲,低電壓,低消費(fèi)電流和高穩(wěn)定度,超小型,質(zhì)量輕等產(chǎn)品特點(diǎn),產(chǎn)品本身編帶包裝方式,可對(duì)應(yīng)自動(dòng)高速貼片機(jī)應(yīng)用,以及高溫回流焊接（產(chǎn)品無(wú)鉛對(duì)應(yīng)）,為無(wú)鉛產(chǎn)品.
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: Suntsu晶振,進(jìn)口石英晶體,SXT114晶振

貼片壓電石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,無(wú)源高頻晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,達(dá)到了無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線的標(biāo)準(zhǔn).
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: Transko晶振,石英晶體振蕩器,TCP53有源晶振

智能手機(jī)高頻晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
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[行業(yè)資訊]PI49FCT2080X低抖動(dòng)和高頻時(shí)鐘分布的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用,PI49FCT20802QE,PI49FCT20803LE2022年06月15日 13:32

單端時(shí)鐘緩沖器，我們的單端時(shí)鐘緩沖器產(chǎn)品組合涵蓋具有多達(dá)10個(gè)輸出的LVCMOS和LVTTL緩沖器。我們支持從1.2V到3.3V的各種電源，以及用于選定部件的工業(yè)級(jí)和汽車級(jí)電源。它們的低附加抖動(dòng)和低偏斜特性使其成為具有苛刻性能要求的時(shí)鐘分配應(yīng)用的理想選擇。

PI49FCT2080X是2.5V、高速、低噪聲、同相時(shí)鐘緩沖器。差分晶振，它旨在針對(duì)需要低偏差、低抖動(dòng)和高頻時(shí)鐘分布的網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用。編碼PI49FCT20802QE，PI49FCT20803LE，它提供低至150ps的輸出到輸出偏移，是同步系統(tǒng)的理想時(shí)鐘分配設(shè)備。PI49FCT2080x是來(lái)自單個(gè)輸入的時(shí)鐘緩沖器，它在PI49FCT20802上產(chǎn)生五個(gè)輸出，在PI49FCT20803上產(chǎn)生七個(gè)輸出。PI49FCT2080x的工作溫度范圍為–40°C至85°C。

閱讀（734）標(biāo)簽：高頻晶振

[行業(yè)資訊]可編程晶振器件通過(guò)軍事振動(dòng)和沖擊試驗(yàn)2019年06月14日 11:26: 沖擊和振動(dòng)靈敏度:MEMS可編程晶振的可靠性得到改善,部分原因在于提高了半導(dǎo)體級(jí)的抗沖擊和抗振性.標(biāo)準(zhǔn)石英器件往往易碎,因?yàn)榫w是金屬或陶瓷封裝-50至100克的沖擊會(huì)使晶體破裂.因此,制造商必須實(shí)施特定的存儲(chǔ),包裝和運(yùn)輸協(xié)議,以避免不小心處理.測(cè)試pMEMS振蕩器對(duì)沖擊和振動(dòng)的抵抗力揭示了一個(gè)不同的故事.結(jié)果表明,這些裝置可以輕松存活超過(guò)1500克的沖擊和20克的振動(dòng); 閱讀（264）標(biāo)簽：MEMS諧振器老化|可編程晶振振動(dòng)|高頻晶振

[行業(yè)資訊]亞皮秒相位高穩(wěn)定性振蕩器2019年01月02日 10:43: 石英晶體的頻率取決于其振動(dòng)模式,現(xiàn)如今大多數(shù)設(shè)計(jì)師利用諧波和模式晶可以設(shè)計(jì)出頻率范圍為MHz~GHz的高頻石英晶體振蕩器,由于振動(dòng)效應(yīng)能量發(fā)生在石英板的中心,將能量限制在一個(gè)小區(qū)域內(nèi)使得振動(dòng)板難以振動(dòng),通常給定模式中的較低頻率設(shè)備需要較大的封裝,較高頻率的設(shè)備可以以相同的模式放置在較小的封裝中.; 閱讀（332）標(biāo)簽：振蕩器|高頻晶振|石英晶體振蕩器

[行業(yè)資訊]美國(guó)伊西斯晶振編碼查詢2018年11月20日 14:05

ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動(dòng)晶振ECS-1633-192-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動(dòng)晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無(wú)源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無(wú)源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振

ECX-P33BN-200.000美國(guó)伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動(dòng)晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國(guó)ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無(wú)源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動(dòng)晶振ECS-2033-240-AU美國(guó)伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無(wú)源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動(dòng)晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動(dòng)晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無(wú)源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振

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