V1474BBISEPL‐PF,ACT艾西迪晶振,6G無線晶振,1100時鐘振蕩器,尺寸為20.4*13.1mm,頻率為14.7456MHZ,進口晶振,有源晶振,長方型鐘振,石英晶體振蕩器,低相位晶振,低電壓晶振,高品質晶振,無線設備晶振,6G模塊晶振,藍牙音響晶振,物聯網專用晶振,儀器設備晶振,便攜式設備晶振,6G基站專用晶振,6GWIFI晶振。
有源晶體振蕩器產品主要應用范圍:6G模塊,藍牙音響,物聯網,儀器設備,便攜式設備,6G基站,6GWIFI,移動通信,通訊模塊等領域。V1474BBISEPL‐PF,ACT艾西迪晶振,6G無線晶振,1100時鐘振蕩器.
小型貼片石英晶振,外觀尺寸具有薄型表面貼片型石英晶體諧振器,特別適用于有小型化要求的市場領域,比如智能手機,無線藍牙,平板電腦等電子數碼產品.晶振本身超小型,薄型,重量輕,晶體具有優良的耐環境特性,如耐熱性,耐沖擊性,在辦公自動化,家電相關電器領域及Bluetooth,Wireless LAN等短距離無線通信領域可發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應)產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.
溫補晶振(TCXO),是目前有源晶振中體積最小的一款,產品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產品最適合于GPS,以及衛星通訊系統,智能電話等多用途的高穩定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度:最高0.8 mm,體積:0.0022 cm3,重量:0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊)無鉛產品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC(頻率控制)功能,Enable/Disable功能,產品本身可根據使用需要進行選擇.
具有最適合于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度:最高1.0 mm,體積:0.007 cm3,重量:0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊) 無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動晶振ECS-1633-192-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國進口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國進口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振
ECX-P33BN-200.000美國伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動晶振ECS-3525-600-B-TR進口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國進口晶振ECS-2018-300-BN低抖動晶振ECS-2033-240-AU美國伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國進口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國進口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質晶振ECS-2033-320-AU低抖動晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國進口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國進口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振