許多晶體振蕩器在晶體的并聯諧振點和施加的負載電容下工作.負載電容定義為晶體封裝外部的有效電容,施加在晶體的端子之間,如圖1所示.石英晶振制造商指定給定的負載電容以及操作頻率.負載電容與制造商指定的負載電容不同的操作會導致相對于制造商指定頻率的振蕩頻率誤差.頻率誤差是由于晶體的電容"拉"引起的.這可以通過將并聯和負載電容并聯組合,然后將該總和并聯負載電容與運動電容串聯組合來形成整體有效電容來證明.
在電子行業中所有電子元件或者器件都有分合格，或者是不合格，就好比晶振，如果晶體外殼有凹點的，或者是外觀不平整的，外觀氧化的，引腳彎曲，或者是外殼密封性能不好的，頻率偏差要求的，晶振負載電容點阻不合要求的等等，這些石英晶振系列都是被列為不合格范圍。其實從石英晶片開始就有分合格和到不合格品.
晶振是為電路提供頻率基準的元器件，通常分成有源晶振和無源晶振兩個大類，無源晶振需要芯片內部有振蕩器，并且晶振的信號電壓根據起振電路而定，允許不同的電壓，但無源晶振通常信號質量和精度較差，需要精確匹配外圍電路（電感、電容、電阻等），如需更換晶振時要同時更換外圍的電路。有源晶振不需要芯片的內部振蕩器，可以提供高精度的頻率基準，信號質量也較無源晶振要好。
負載電容 ( Load Capacitance, CL )振蕩線路上的”負載電容(load capacitance)”定義為:從石英晶體共振子的兩個端子看向振蕩線路所遭遇到的所有電容值. 負載電容在線路上可以與石英晶體共振子以并聯(parallel)或以串聯(series)的方示連接. 以并聯方式連接的振蕩線路中, 負載電容(CL)的大小會影響公稱頻率的特性.
