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瑞斯克石英晶體振蕩器說(shuō)明書(shū)，隨著電子行業(yè)的產(chǎn)品越來(lái)越多元化，為了更好順應(yīng)市場(chǎng)的變化，Crystek公司利用自身的優(yōu)勢(shì)，針對(duì)目前振動(dòng)器產(chǎn)品進(jìn)行深入研究與探索說(shuō)明，并研發(fā)設(shè)計(jì)出極具有價(jià)值的石英晶體振蕩器，并因此吸引了廣泛用戶(hù)的關(guān)注，產(chǎn)品融合的高質(zhì)量低抖動(dòng)低電壓的特點(diǎn)，可以滿(mǎn)足不同應(yīng)用程序的需求，同時(shí)也優(yōu)化相噪聲，又獲得極好的用戶(hù)體驗(yàn)。

圖1中的皮爾斯門(mén)振蕩器得到了大多數(shù)設(shè)計(jì)師的認(rèn)可，但很少有人了解如何正確指定晶體。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中使用的晶體圖1可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。BT-CUT晶體質(zhì)量差與AT-CUT相比，頻率隨溫度的穩(wěn)定性。此拓?fù)涫褂闷叫芯w而不是串聯(lián)晶體。當(dāng)指定平行晶體時(shí)，晶體制造商還將要求您指定負(fù)載電容。

要了解負(fù)載電容，請(qǐng)考慮串聯(lián)LC電路，其中晶體是L，負(fù)載電容是C。諧振LC電路的頻率將作為L(zhǎng)和C的函數(shù)而變化在晶體情況下，L是固定的（溫度不是參數(shù)）。瑞斯克石英晶體振蕩器說(shuō)明書(shū).

晶體數(shù)據(jù)表上的參數(shù)由負(fù)載電容是25°C時(shí)中心頻率的公差或校準(zhǔn)。如果有源晶體振蕩器電路設(shè)計(jì)不匹配負(fù)載電容值，則中心頻率將不在數(shù)據(jù)表的公差限制。有趣的是并聯(lián)晶體要求其電容負(fù)載有效串聯(lián)其端子。
那么，您的皮爾斯門(mén)振蕩器向結(jié)晶如圖2所示的一個(gè)簡(jiǎn)單計(jì)算將告訴您。

圖2中大多數(shù)設(shè)計(jì)師忽略的最重要的事實(shí)是反相器門(mén)的內(nèi)部輸入和輸出電容。這些與外部（C1和C2）相比在值上是顯著的。如果Cin和Cout沒(méi)有指定，那么每個(gè)5 pF的猜測(cè)值是好的開(kāi)始以后可以通過(guò)改變啟動(dòng)來(lái)優(yōu)化電路C1和C2的值。所以，不要放棄你的主要寬容；計(jì)算您的振蕩器電容負(fù)載。

既然你知道了如何計(jì)算負(fù)載電容電路呈現(xiàn)給水晶，您應(yīng)該選擇什么負(fù)載電容？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，你需要知道晶體中心頻率對(duì)負(fù)載的靈敏度電容。這被稱(chēng)為微調(diào)靈敏度S，由下式給出：

其中Cm是晶體的運(yùn)動(dòng)電容，
Co是晶體的分流電容，
Cload是負(fù)載電容。
從修剪靈敏度方程中，你可以看到，你制作的Cload越小，就越大微調(diào)靈敏度。換句話(huà)說(shuō)，如果你正在設(shè)計(jì)一個(gè)固定頻率的時(shí)鐘，那么你選擇一個(gè)高的Cload值，比如20 pF。但是，如果你正在設(shè)計(jì)一個(gè)可變頻率振蕩器（VCXO）選擇諸如14pF的低Cload值。瑞斯克石英晶體振蕩器說(shuō)明書(shū).

石英晶振此款電子元器件的頻率穩(wěn)定性關(guān)系著一個(gè)電子產(chǎn)品的好壞,可見(jiàn)頻率穩(wěn)定性的重要.頻率穩(wěn)定性由晶體的質(zhì)量決定.它與頻率成反比,與取決于特定切割的常數(shù)成反比.影響品質(zhì)因數(shù)的其他因素包括使用的泛音,溫度,晶體驅(qū)動(dòng)水平,表面光潔度質(zhì)量,通過(guò)粘合和安裝施加在晶體上的機(jī)械應(yīng)力,晶體和附著電極的幾何形狀,晶體中的材料純度和缺陷,外殼中氣體的類(lèi)型和壓力,干擾模式以及電離輻射和中子輻射的存在和吸收劑量.

這些石英晶體振蕩器非常穩(wěn)定,具有良好的品質(zhì)因數(shù),尺寸小,非常經(jīng)濟(jì).因此,與諸如LC電路,轉(zhuǎn)向叉等的其他諧振器相比,石英晶體振蕩器電路是優(yōu)越的.通常,8MHz晶體振蕩器用于微處理器和微控制器.等效電路也代表晶體的晶體作用.電路中使用的基本元件,電感L1代表晶體質(zhì)量,電容C1代表柔量,電阻R1代表晶體的內(nèi)部結(jié)構(gòu)摩擦,C0代表晶體機(jī)械成型所形成的電容.