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: EPSON晶振,TG5032CFN晶振,有源貼片晶振

頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,高精度TCXO晶振,TG-5006CJ晶振

頻率：13~52MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,有源晶振,TG2016SBN晶振

頻率：13~55MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,TCXO晶振,TG2520CEN晶振

頻率：12~52MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,TG3225CEN晶振,3225貼片晶振

頻率：12~52MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,TG1612SAN晶振,溫補晶體振蕩器

頻率：13~52MHZ
尺寸：1.6×1.2mm 晶振技術
參數資料

小尺寸的TCXO溫補晶振內部晶片焊接模式采用了，高精密點膠技術，晶片膠點的位置、大小：位置準確度以及膠點大小一致性，通過圖像識別及高精密度數字定位系統的運用、使晶片的點膠的精度在±0.02mm之內，確保TCXO晶體產品精度，穩定性能良好發揮功能。

: EPSON晶振,XG5032HAN晶振,表面聲波振蕩器

頻率：100~200MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

5032mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.

: EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-2121CA晶振,XG-2102CA晶振

頻率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

石英晶體振蕩器在設計時就與各款型號IC匹配等相關技術，使用IC與晶片設計匹配技術：是高頻振蕩器研發及生產過程必須要解決的技術難題。在設計過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外，還有石英晶體振蕩器的電極設計等有它的特殊性，必須考慮振蕩器的供應電壓、起動電壓和產品上升時間、下降時間等相關參數。

: EPSON晶振,SAW振蕩器,XG-1000CA/CB晶振

頻率：50~170MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,可編程有源晶體,SG-8506CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG-9001LB晶振

頻率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-8101系列晶振

頻率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,可編程石英晶體振蕩器,SG-8003晶振

頻率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶體振蕩器,SG-8002CE晶振

頻率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片振蕩器,SG5032CAN晶振

頻率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

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