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進(jìn)口溫補(bǔ)晶振大全,提供日本進(jìn)口溫補(bǔ)節(jié)能改造-歐美進(jìn)口溫補(bǔ)晶振!
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KDS晶振,UM-1,UM-4,UM-5晶振,插件石英晶振

KDS晶振,UM-1,UM-4,UM-5晶振,插件石英晶振

頻率:10~150MHz
尺寸:3×7.7mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分,好比時(shí)鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能

IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振

頻率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗

IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振

IDT晶振,XUQ晶振,差分晶振

頻率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗

IDT晶振,XUP晶振,石英晶體振蕩器

IDT晶振,XUP晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗

IDT晶振,XUO晶振,進(jìn)口有源貼片晶振

IDT晶振,XUO晶振,進(jìn)口有源貼片晶振

頻率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XUN晶振,有源晶振

IDT晶振,XUN晶振,有源晶振

頻率:0.016~670M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XUM晶振,進(jìn)口石英晶體振蕩器

IDT晶振,XUM晶振,進(jìn)口石英晶體振蕩器

頻率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶體振蕩器

IDT晶振,XUL晶振,OSC晶體振蕩器

頻率:0.016~1500...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

IDT晶振,XUH晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.016~167M...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XLP晶振,差分貼片晶振

IDT晶振,XLP晶振,差分貼片晶振

頻率:0.750~1350...
尺寸:5.0×3.2,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,XLL晶振,有源貼片晶振

頻率:0.750~1350...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.750~250M...
尺寸:3.2×2.5,5.0×... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

IDT晶振,8N4SV75晶振,有源晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

IDT晶振,8N4S271晶振,有源貼片晶振

IDT晶振,8N4S271晶振,有源貼片晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

IDT晶振,8N4S270晶振,OSC晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

IDT晶振,XLH晶振,貼片型石英晶體振蕩器

頻率:0.75~250MH...
尺寸:5.0×3.2mm,5.0... pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

有源石英晶振,無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好,壓控晶振也罷,產(chǎn)品均采用了,離子刻蝕調(diào)頻技術(shù),比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻,主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升:1.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm,一般只能保持在±5ppm;2.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升;3.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)

IDT晶振,8N4Q001晶振,進(jìn)口有源晶振

IDT晶振,8N4Q001晶振,進(jìn)口有源晶振

頻率:15.476~130...
尺寸:5.0×7.0mm pdf 晶振技術(shù)
參數(shù)資料

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能,產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來(lái)自動(dòng)調(diào)整頻率,使產(chǎn)品永遠(yuǎn)控制在一定的頻率范圍,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用

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