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IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振

頻率：0.016~1500MHz

尺寸：5.0×3.2,5.0×7.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

LH-1 IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振 ,IDT 晶振集團(tuán)是電子元件行業(yè)協(xié)會(huì) (ECIA) 的正式成員,電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)是電子元器件制造商及其供應(yīng)商授權(quán)分銷合作伙伴和獨(dú)立現(xiàn)場(chǎng)銷售代表組成的非營(yíng)利性行業(yè)協(xié)會(huì).此協(xié)會(huì)的宗旨是促進(jìn)和改善電子元器件授權(quán)銷售的商業(yè)環(huán)境。
貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。1.防止外界氣體進(jìn)入組件體內(nèi)受到污染和增加應(yīng)力的產(chǎn)生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術(shù)為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。

LH-2

項(xiàng)目	符號(hào)	XU晶振規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	0.016MHz to 1500MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	1.60 V to 3.63 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cnlifecy.cn/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

XU 5032

XU 7050

LH-4 晶振使用注意事項(xiàng)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí)，比如：壓電揚(yáng)聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶體振蕩器產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下，機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于進(jìn)口晶振器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上，最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí)，機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí)，按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1)在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存進(jìn)口晶體振蕩器產(chǎn)品時(shí)，會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶體產(chǎn)品，并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝，以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度：
溫度：+15°C 至 +35°C，濕度 25 % RH 至 85 % RH（請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容）。
(2)請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振

LH-5 IDT 晶振集團(tuán)環(huán)保基本理念：
IDT 晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理,盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動(dòng)對(duì)環(huán)境造成的負(fù)擔(dān),并通過(guò)業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善.
IDT晶振集團(tuán)將建立可行的技術(shù)及經(jīng)濟(jì)性環(huán)境目標(biāo),并確保其環(huán)境保護(hù)活動(dòng)的質(zhì)量.
集團(tuán)公司將關(guān)注所有環(huán)境適用的法律、法規(guī)和協(xié)議的遵守情況.另外為更有效的進(jìn)行環(huán)境保護(hù),將建立自己的特有的環(huán)境標(biāo)準(zhǔn).
IDT 晶振集團(tuán)將在各領(lǐng)域內(nèi)的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器商務(wù)運(yùn)作中實(shí)施持續(xù)改進(jìn),包括能源資源的保持,回收再利用以及減少?gòu)U棄物等.
IDT 晶振環(huán)境影響的最小化：遵照社會(huì)的期望,改進(jìn)我們的環(huán)境行為,我們將通過(guò)有效利用森林、能源以及其它資源,減少各種形式的廢物來(lái)實(shí)現(xiàn)這一承諾.
IDT晶振集團(tuán)盡可能的采用無(wú)害的石英晶振,5070晶振,壓電石英晶體原材料和生產(chǎn)技術(shù),避免有害物質(zhì)的產(chǎn)生,比如消耗臭氧層物質(zhì)、溫室氣體及其它污染物.集團(tuán)公司同時(shí)將致力于這些物質(zhì)的收集和回收,最小化有害原料的使用。IDT晶振,XU晶振,有源貼片晶振