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最適合休眠技術(shù)應(yīng)用的32.768K振蕩器501BCAM032768DAF,6G晶振物料

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最適合休眠技術(shù)應(yīng)用的32.768K振蕩器501BCAM032768DAF,6G晶振物料,伴隨著行業(yè)的變化莫測,作為一家新型的創(chuàng)新公司Silicon,致力于向廣泛應(yīng)用市場提供品質(zhì)過硬,具備創(chuàng)新型的產(chǎn)品,通過自身的努力,不斷更新自身的產(chǎn)品線,以求獲得超越市場的平均銷量,為了更好的發(fā)展以及突破自身現(xiàn)有的創(chuàng)新能力,開發(fā)高質(zhì)量的產(chǎn)品編碼501BCAM032768DAF,型號Si501,尺寸為2520mm,頻率為32.768KHZ,電壓為3.3V,支持輸出LVCMOS,頻率穩(wěn)定性20ppm,具備高性能低抖動低相位的特點(diǎn),Si501/2/3 CMEMS可編程晶振系列提供基于mems的單片集成電路取代傳統(tǒng)晶體振蕩器。硅實(shí)驗(yàn)室的CMEMS技術(shù)結(jié)合了標(biāo)準(zhǔn)的CMOS + MEMS在一個單一的,單片IC提供集成,高品質(zhì)和高可靠性的振蕩器。每個設(shè)備都經(jīng)過工廠測試并配置為保證性能的數(shù)據(jù)表規(guī)范跨越電壓、工藝、溫度、沖擊、振動和老化。

只有當(dāng)解決方案使用高精度、快速啟動的32.768kHz系統(tǒng)時鐘時,才能在休眠模式后重新建立超高速、省電的數(shù)據(jù)通信或全球定位。在基于休眠技術(shù)的電池供電解決方案中采用32.768KHZ硅振蕩器可以節(jié)省50%以上的功率。Silicon技術(shù)公司的專家解釋了原因32.768kHz硅振蕩器正在電池供電的休眠技術(shù)應(yīng)用中占據(jù)主導(dǎo)地位,以及它們?yōu)橛脩籼峁┝四男﹥?yōu)勢。Si501 Si502 Si503

許多終端產(chǎn)品采用休眠技術(shù),包括可穿戴設(shè)備、面向商業(yè)、工業(yè)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的基于藍(lán)牙低能耗(BLE)的通信單元、GPS(商業(yè)和汽車)、M2M通信、個人追蹤器和醫(yī)療患者監(jiān)護(hù)系統(tǒng)、物聯(lián)網(wǎng)、智能計量、家庭自動化、無線等等。冬眠技術(shù)是如何工作的?

休眠技術(shù)主要用于定位應(yīng)用和終端設(shè)備中,這些設(shè)備通過藍(lán)牙低能量(BLE)與單獨(dú)的接收器交換收集的數(shù)據(jù)。為了大大延長電池壽命,這些設(shè)備中的高耗電電路部分,如用于數(shù)據(jù)傳輸和定位的IC,會盡可能地進(jìn)入省電睡眠模式。一旦用戶搜索到新的目的地,或者想要通過藍(lán)牙低能耗傳輸數(shù)據(jù),這些休眠部件就必須被再次喚醒,并盡快恢復(fù)到高功率工作模式(圖1)。

tu 1

極短的喚醒時間可節(jié)省50%的系統(tǒng)能源

為了實(shí)現(xiàn)高速、高能效的數(shù)據(jù)通信,32.768kHz系統(tǒng)時鐘必須非常精確,以便應(yīng)用能夠高速運(yùn)行圖1所示的過程,然后立即返回休眠模式。

不精確的系統(tǒng)時鐘會導(dǎo)致圖1所示的功耗過程根據(jù)需要重復(fù)多次,直到數(shù)據(jù)從發(fā)射器發(fā)送到接收器,比如從可穿戴設(shè)備發(fā)送到智能手機(jī)。這種重復(fù)增加了功率消耗,從而大大縮短了電池壽命。然而,當(dāng)提供高精度32.768K晶振參考頻率時,發(fā)射器和接收器的系統(tǒng)時鐘之間的這些恒定功耗同步變得多余。超長的獨(dú)立運(yùn)行時間是發(fā)射機(jī)單元取得市場成功的關(guān)鍵因素。不能長時間運(yùn)行的病人監(jiān)護(hù)設(shè)備很難被接受。用戶會奇怪為什么他需要反復(fù)給設(shè)備充電或更換電池,并且不會向他人推薦該產(chǎn)品,甚至?xí)诰W(wǎng)上發(fā)布負(fù)面評論。

高精度系統(tǒng)時鐘在GPS應(yīng)用中還有另一個省電優(yōu)勢:它可以延長休眠周期,同時仍然保持不到一秒的快速啟動。32.768kHz石英晶體和石英晶體振蕩器與32.768kHz超低功率振蕩器有何不同

由于石英切割,32.768kHz石英晶體的溫度穩(wěn)定性(與MHz石英晶體不同)無法通過改變切割角度來縮小。在-40°C至+85°C的溫度范圍內(nèi),32.768 kHz石英晶體的最精確溫度穩(wěn)定性約為-180 ppm(圖2);相比之下,MHz石英晶體的折射率為15 ppm。

Silicon公司ULPPO系列的32.768千赫硅振蕩器例如,其尺寸僅為1.5×0.8mm,在-40℃至+85℃的溫度范圍內(nèi)具有±5 ppm的溫度穩(wěn)定性,因此比32.768kHz石英晶體精確36倍。此外,第一年后ULPPOS的老化為1ppm,10年后為5 ppm。32.768kHz石英晶體在第一年后的老化為3ppm,10年后的老化遠(yuǎn)大于20ppm。影響應(yīng)用精度的另一個因素是頻率穩(wěn)定性,25°C時32.768kHz石英晶體的標(biāo)準(zhǔn)值為20 ppm。因此,32.768kHz的石英晶體僅產(chǎn)生非常不精確的系統(tǒng)時鐘,這僅允許非常慢的數(shù)據(jù)通信,并且考慮到上述數(shù)據(jù)通信中的重復(fù),消耗大量的功率。

32.768千赫的有源晶振也可以在市場上買到。這些尺寸更大(2.5x2.0毫米或3.2 x 2.5毫米),并使用各種不同的技術(shù)。典型的是石英振蕩器,其中32.768kHz是通過劃分MHz頻率(2.5 x 2.0mm)產(chǎn)生的。這種振蕩器消耗幾毫安,因此完全不適合電池供電的解決方案。最適合休眠技術(shù)應(yīng)用的32.768K振蕩器501BCAM032768DAF,6G晶振物料.

其他的32.768千赫石英振蕩器(3.2 x 2.5毫米)直接基于32.768kHz石英晶體,并且如果石英晶體的頻率精度沒有被振蕩器IC補(bǔ)償,則消耗更少的功率。然而,這種情況下的頻率與32.768kHz石英晶體的頻率一樣不精確,因?yàn)樵撜袷幤鞯慕⑺俣确浅B?

第三種解決方案基于32.768kHz石英晶體和振蕩器IC,該振蕩器IC補(bǔ)償32.768kHz石英晶體的非常高的頻率精度,但通常啟動非常慢,大約3秒,因此需要多次高功耗重復(fù)。

Silicon公司的節(jié)能解決方案

大多數(shù)藍(lán)牙低能耗解決方案采用兩個32.768kHz石英晶體(一個用于BLE IC的睡眠模式,一個用于MCU時鐘)和一個MHz石英晶體作為BLE芯片的參考頻率(圖3)。在典型的可穿戴應(yīng)用中,一個32.768kHz硅振蕩器可以同時作為ble和MCU睡眠模式的時鐘。這可以節(jié)省大量電路板空間,因?yàn)閁LPPO的尺寸為1.5x0.8mm,只有最小的32.768kHz石英晶體(1.6 x 1.2mm)的一半,比低功耗石英振蕩器(3.2x 2.5mm)小85%。

考慮到32.768kHz石英晶體的空間要求,加上兩個接地的外部去耦電容,ULPPO僅占石英解決方案空間的85%。ULPPO無需去耦電容,因?yàn)榘惭b的IC會自行過濾電源電壓。

原廠代碼 品牌 型號 頻率 電壓 頻率穩(wěn)定度
530FC250M000DGR Silicon振蕩器 Si530 250MHz 2.5V ±7ppm
530FC311M040DGR Silicon振蕩器 Si530 311.04MHz 2.5V ±7ppm
530FC622M080DGR Silicon振蕩器 Si530 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531AC250M000DGR Silicon振蕩器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
531AC311M040DGR Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531AC622M080DGR Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531BC250M000DGR Silicon振蕩器 Si531 250MHz 3.3V ±7ppm
531BC311M040DGR Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 3.3V ±7ppm
531BC622M080DGR Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531EC250M000DGR Silicon振蕩器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531EC311M040DGR Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531EC622M080DGR Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
531FC250M000DGR Silicon振蕩器 Si531 250MHz 2.5V ±7ppm
531FC311M040DGR Silicon振蕩器 Si531 311.04MHz 2.5V ±7ppm
531FC622M080DGR Silicon振蕩器 Si531 622.08MHz 2.5V ±7ppm
530CA40M0000BG Silicon振蕩器 Si530 40MHz 3.3V ±50ppm
531AA640M000BG Silicon振蕩器 Si531 640MHz 3.3V ±50ppm
501BCAM032768BAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501BCAM032768DAF Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAF Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768BAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501JCAM032768CAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 3.3V ±20ppm
501HCAM032768BAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAF Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768CAG Silicon振蕩器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCAM032768DAG Silicon高性能振蕩器 Si501 32.768kHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ABA8M00000CAF Silicon振蕩器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAF Silicon振蕩器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ABA8M00000DAG Silicon振蕩器 Si501 8MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±30ppm
501ACA10M0000CAG Silicon振蕩器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAF Silicon振蕩器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501ACA10M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 10MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501JCA10M0000CAF Silicon振蕩器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000CAG Silicon振蕩器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAF Silicon振蕩器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501JCA10M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 10MHz 3.3V ±20ppm
501HCA12M0000BAG Silicon振蕩器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAF Silicon振蕩器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000CAG Silicon振蕩器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501HCA12M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 12MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±20ppm
501BCA16M0000DAF Silicon振蕩器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BCA16M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 16MHz 3.3V ±20ppm
501BAA16M0000BAF Silicon振蕩器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000CAF Silicon振蕩器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501BAA16M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 16MHz 3.3V ±50ppm
501JCA20M0000BAF Silicon振蕩器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000BAG Silicon振蕩器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000CAF Silicon振蕩器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAF Silicon振蕩器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501JCA20M0000DAG Silicon振蕩器 Si501 20MHz 3.3V ±20ppm
501AAA24M0000CAF Silicon振蕩器 Si501 24MHz 1.7 V ~ 3.6 V ±50ppm

極低功耗

即使是標(biāo)準(zhǔn)版本的Silicon 32.768 kHz硅振蕩器也具有極低的功耗,在1.8VDC的VDD下小于1 A。為了進(jìn)一步降低功耗,有源振蕩器的輸出幅度可以適應(yīng)要計時的IC。在這種情況下,VOH可以設(shè)置在0.6至1.225 V的范圍內(nèi),或者VOL可以設(shè)置在0.35至0.8V的范圍內(nèi)。電源電壓為1.8VDC的PMIC或MCU需要1.2 V的VIH幅度或0.6 V的VIL幅度。這樣,32.768 kHz硅振蕩器可以適應(yīng)MCU和BLE,以最佳方式節(jié)省功耗:這是下一代硅振蕩器技術(shù)的另一個主要優(yōu)勢,32.768 kHz石英振蕩器可以做到這一點(diǎn)

高啟動可靠性

因?yàn)?2.768千赫石英晶體具有非常高的電阻,它們并不總是與被計時的IC的振蕩器級最佳地協(xié)調(diào)。石英有時開始振蕩,有時不振蕩。當(dāng)它發(fā)生時,原因并不總是很清楚。要計時的IC振蕩器級的負(fù)輸入電阻通常漂移很大,并且具有容性。根據(jù)Silicon專家的測量,超過25%的電容散射并不少見。這并不會使設(shè)計32.768kHz石英晶體的最佳電路變得更加容易,而且石英晶體的調(diào)諧靈敏度(ppm/pF)也會導(dǎo)致電路發(fā)生頻率偏移。使用超低功耗32.768kHz硅振蕩器不僅可以同時為多個IC提供時鐘,還可以消除啟動/建立問題和頻率偏移。結(jié)果是:在任何情況下、任何溫度下、任何時候都有最高的啟動可靠性。

巨大的成本節(jié)約

Silicon 32.768kHz硅振蕩器節(jié)省了兩個32.768kHz石英晶體及其連接電容,從而大大降低了PCB上的空間要求。這意味著該應(yīng)用可以由更小、更便宜的PCB完美實(shí)現(xiàn)。此外,開發(fā)、安裝、控制和測試的成本和工作量大大降低。鑒于較低的元件采購和處理成本以及較低的元件價格,設(shè)備制造商不僅節(jié)省了電力,還節(jié)省了資金。

更環(huán)保的技術(shù),打造更智能的世界

節(jié)能設(shè)計從計時開始。Silicon超低功耗32.768kHz硅振蕩器就是一個例子,說明在基于休眠技術(shù)的設(shè)備中,只要使用正確的時鐘,系統(tǒng)功耗就可以降低50%。時鐘專家Silicon的專家就從“下一代時鐘”產(chǎn)品系列中選擇合適的元件提供建議,并提供全面的技術(shù)支持、設(shè)計導(dǎo)入、快速樣品和批量交付,從而確保快速上市。

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