晶振技術晶體內部石英晶片均采用了全自動壓電石英晶片清洗技術，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等， 操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設備自動完成。根據需要，對速度，溫度，時間等參數進行調整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶振技術晶體內部石英晶片均采用了全自動壓電石英晶片清洗技術，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等， 操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設備自動完成。根據需要，對速度，溫度，時間等參數進行調整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產品均采用了，離子刻蝕調頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻，主要在產品參數有以下提升：１.微調后調整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升；３.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產品均采用了，離子刻蝕調頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻，主要在產品參數有以下提升：１.微調后調整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升；３.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產品均采用了，離子刻蝕調頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻，主要在產品參數有以下提升：１.微調后調整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升；３.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內
晶振技術
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產品均采用了，離子刻蝕調頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調頻，主要在產品參數有以下提升：１.微調后調整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產品的激勵功率相關性參數有大幅提升；３.產品的長期老化率可保證在±2ppm之內
