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晶振技術晶體內(nèi)部石英晶片均采用了全自動壓電石英晶片清洗技術，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等， 操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設備自動完成。根據(jù)需要，對速度，溫度，時間等參數(shù)進行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶振技術晶體內(nèi)部石英晶片均采用了全自動壓電石英晶片清洗技術，采用高壓噴淋清洗，兆聲振動的原理，一個全自動、清洗過程由PLC控制，由傳輸裝置、噴淋清洗段、噴淋漂洗段、風力吹水段等， 操作自動化程度高，除上下工件需要人工外，其余全部由設備自動完成。根據(jù)需要，對速度，溫度，時間等參數(shù)進行調(diào)整，使之最大限度的滿足工藝需要。
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗
晶振技術小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
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晶振技術貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領域.符合RoHS/無鉛.
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
晶振技術
晶振技術有源石英晶振，無論是溫補晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵功率相關性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
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