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當前位置：首頁 » 貼片晶振

: 加高晶振,貼片晶振,HSO321S晶振

頻率：32.768KHZ
尺寸：3.2X2.5mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: 加高晶振,貼片晶振,HSO221S晶振

頻率：32.768KHZ
尺寸：2.5X2.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: 加高晶振,貼片晶振,HSO211S 晶振

頻率：13.0MHZ~52...
尺寸：2.0X1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: 加高晶振,貼片晶振,HSB221S晶振

頻率：13.0MHZ~52...
尺寸：2.5X2.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: 加高晶振,貼片晶振,HSA321S晶振

頻率：13.0MHZ~52...
尺寸：3.2X2.5mm 晶振技術
參數資料

具有最適合于移動通信設備用途的高穩定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產品.(可對應回流焊) 無鉛產品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

: 加高晶振,貼片晶振,HSA221S晶振

頻率：13.0MHZ~52...
尺寸：2.5X2.0mm 晶振技術
參數資料

2520mm體積的晶振,可以說是目前小型數碼產品的福音,目前超小型的智能手機里面所應用的就是小型的石英晶振,該產品最適用于無線通訊系統,無線局域網,已實現低相位噪聲,低電壓,低消費電流和高穩定度,超小型,質量輕等產品特點,產品本身編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機應用,以及高溫回流焊接（產品無鉛對應）,為無鉛產品.

: 加高晶振,貼片晶振,SMD-49晶振

頻率：3.0M~75.0M...
尺寸：12.0X4.7mm 晶振技術
參數資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用.

: 加高晶振,貼片晶振,HSX840G晶振

頻率：7.372M~80....
尺寸：8.0X4.5mm 晶振技術
參數資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用.

: 加高晶振,貼片晶振,HSX630G晶振

頻率：7.372M~80....
尺寸：6.0X3.5mm 晶振技術
參數資料

貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動貼片系統,產品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數碼產品市場領域,因產品小型,薄型優勢,耐環境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領域得到了廣泛的應用.

: Statek晶振,貼片晶振,VCXO晶振

頻率：16.3MHz~13...
尺寸：7.0x5.0mm 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,SQXO2ATSM晶振

頻率：312.0KHZ~1...
尺寸：10.0x10.0mm 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,LSM晶振

頻率：30.0KHZ~40...
尺寸：10.2x4.5mm 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,LSC晶振

頻率：30.0KHZ~40...
尺寸：10.2x4.5mm 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,HGXO晶振

頻率：460.0KHZ~5...
尺寸：7.0x5.0mm 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,HFXO晶振

頻率：200.0KHZ~1...
尺寸：6.5x5.0mm 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,DFXO晶振

頻率：20.0MHZ~30...
尺寸：7.0x5.0mm 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

: Statek晶振,貼片晶振,CXOX晶振

頻率：1.0MHZ~160...
尺寸：3.2x2.5mm 晶振技術
參數資料

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現在的體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍：1.8V~5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等高端數碼領域,符合RoHS/無鉛.

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