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SiTimeCrystal晶振,普通振蕩器,SiT8009晶振

頻率：115.0~137.0MHZ

尺寸：2.5*2.0mm 3.2*2.5mm 5.0*3.2mm 7.0*5.0mm

與普通石英晶振,石英晶體,石英振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設(shè)備針對(duì)特定的參數(shù)進(jìn)行了優(yōu)化,因此無法提供基于內(nèi)存的解決方案提供的組合性能和特性.通過將硅的固有優(yōu)勢(shì)與SiTime晶振的專業(yè)技術(shù)結(jié)合起來,我們正在開發(fā)具有更多特性、高性能和無與倫比的優(yōu)點(diǎn)的最具創(chuàng)新性的計(jì)時(shí)產(chǎn)品石英貼片晶振,石英晶體振蕩器.

訂購熱線：0755-29952551

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SiTimeCrystal晶振,普通振蕩器,SiT8009晶振,SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導(dǎo)體公司,提供了業(yè)界最好的時(shí)間解決方案.我們的團(tuán)隊(duì)熱衷于解決高性能電子產(chǎn)品中最困難的時(shí)間問題.我們已經(jīng)向世界各地的客戶運(yùn)送了超過6.25億臺(tái)設(shè)備,占MEMS時(shí)間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨(dú)立子公司, 主要以生產(chǎn)高精度石英晶振振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.

SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個(gè)應(yīng)用程序中被超過1000個(gè)客戶使用.我們的最大容量設(shè)計(jì)是在網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)者、計(jì)算和存儲(chǔ)部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業(yè)應(yīng)用提供產(chǎn)品.SiTime于2013年進(jìn)入智能手機(jī)市場(chǎng),推出了首個(gè)移動(dòng)電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用領(lǐng)域正在迅速發(fā)展.

石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：貼片晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài)。

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siTime晶振規(guī)格	單位	siTime貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	115.0~137.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C ～ +75°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.guanjiedz.com
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

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SiT8002LF-2520 3225 5032 OSC

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)SiTimeCrystal晶振,普通振蕩器,SiT8009晶振
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.

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SiTime晶振環(huán)保基本理念：SiTimeCrystal晶振,普通振蕩器,SiT8009晶振
1.作為良好的企業(yè)市民,遵循本公司的行動(dòng)方針,充分關(guān)心維護(hù)地球環(huán)境.遵守國內(nèi)外的有關(guān)環(huán)保法規(guī).
2.保護(hù)自然環(huán)境,充分關(guān)注自然生態(tài)等方面的環(huán)境保護(hù),維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認(rèn)識(shí)到資源和能源的有限性,努力進(jìn)行有效利用.
4為構(gòu)建循環(huán)型社會(huì)做出貢獻(xiàn),致力于石英晶振晶體原材料減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環(huán),努力構(gòu)建循環(huán)型社會(huì).
5.推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
6.建立環(huán)境管理系統(tǒng),充分運(yùn)用環(huán)境管理系統(tǒng),設(shè)定環(huán)境目的和目標(biāo),定期修正,不斷改善,努力預(yù)防環(huán)境污染.

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