頻率：1.0~110.0MH
尺寸：2.9 x 2.8 mm
與普通石英晶振,石英晶體,石英振蕩器相比,SiTime的MEMS振蕩器提供了更高的性能.由于石英設備針對特定的參數進行了優化,因此無法提供基于內存的解決方案提供的組合性能和特性.通過將硅的固有優勢與SiTime晶振的專業技術結合起來,我們正在開發具有更多特性、高性能和無與倫比的優點的最具創新性的計時產品石英貼片晶振,石英晶體振蕩器.
SiTimeCrystal晶振,工業晶振,SiT2018B晶振,SiTime晶振公司,MEMS和模擬半導體公司,提供了業界最好的時間解決方案.我們的團隊熱衷于解決高性能電子產品中最困難的時間問題.我們已經向世界各地的客戶運送了超過6.25億臺設備,占MEMS時間的90%,并且年增長率超過50%.SiTime是MegaChips公司(東京證券交易所:6875)的獨立子公司, 主要以生產高精度石英晶振振蕩器,可編程晶體振蕩器等器件為主.
SiTime石英晶振,貼片晶振,石英晶體振蕩器在100多個應用程序中被超過1000個客戶使用.我們的最大容量設計是在網絡、消費者、計算和存儲部分.2011年,我們開始為電信、無線和工業應用提供產品.SiTime于2013年進入智能手機市場,推出了首個移動電話MEMS振蕩器,目前在可穿戴設備和物聯網應用領域正在迅速發展.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使石英晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。
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siTime晶振規格 |
單位 |
siTime貼片晶振頻率范圍 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
1.0~110.0MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ～ +85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C ～ +125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
200μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50 × 10-6 (標準), |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF ,10PF,12PF,20PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點SiTimeCrystal晶振,工業晶振,SiT2018B晶振
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
SiTime晶振環?；纠砟睿?b style=" word-spacing: -1.5px;">SiTimeCrystal晶振,工業晶振,SiT2018B晶振
1.作為良好的企業市民,遵循本公司的行動方針,充分關心維護地球環境.遵守國內外的有關環保法規.
2.保護自然環境,充分關注自然生態等方面的環境保護,維持和保全生物多樣性.
3.有效利用資源和能源,認識到資源和能源的有限性,努力進行有效利用.
4為構建循環型社會做出貢獻,致力于石英晶振晶體原材料減少廢棄物及廢棄物的再利用核再生循環,努力構建循環型社會.
5.推進環保型業務,充分發揮綜合實力,推進環保型業務,為減輕社會的環境負荷做出貢獻.
6.建立環境管理系統,充分運用環境管理系統,設定環境目的和目標,定期修正,不斷改善,努力預防環境污染.
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