頻率：1.50~80.0MHz
尺寸：3.2*2.5mm
NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SD晶振，日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶振、有源晶振、壓電陶瓷諧振器、石英晶振器件的專業(yè)生產廠家，以“通過對客戶的服務，為社會繁榮和世界和平作出貢獻”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎于1948年成立。現在我們作為提供電子業(yè)必不可少的，在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產品以及應用水晶技術的傳感器等新的高附加價值產品的頻率綜合生產廠家，正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標而努力。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振經營范圍：晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關產品的制造與銷售。
石英晶振真空退火技術：晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產生的應力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設計好的溫度曲線，使真空室溫度跟隨設定曲線對晶體組件進行退火，石英晶振通過合理的真空退火技術可提高晶振主要參數的穩(wěn)定性，以及提高石英晶振的年老化特性。
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NDK晶振 |
單位 |
NZ3225SD晶振 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
1.50~80.0MHz |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-40°C ~+85°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-10°C~+70°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
1000μW Max. |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±20 × 10-6 (標準) |
+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C |
超出標準的規(guī)格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
16PF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C — +85°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±5 × 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
所有產品的共同點
1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作.NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SD晶振
日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標，以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少（抑制）CO2排放量，通過使用最先進的技術，實現最小化，以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗，以支持社會的需要。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的溫補晶振,石英晶體振蕩器器件。通過產品生命周期提高整體節(jié)能貢獻和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻—通過制造致密/復雜產品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負荷物質—這些是倡議的支柱。
制造業(yè)-環(huán)保生產—我們將介紹一些情況下，發(fā)現CO2排放量的產品生命周期使用環(huán)境LCA方法。
NDK晶振,貼片晶振,NZ3225SD晶振
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