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頻率：20.000MHz
尺寸：2.0*1.6mm
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm，是2016晶振，頻率是20.000MHZ，日本進口晶振，支持低電壓，低相位噪聲，單封裝結(jié)構(gòu)，用途為手機、GPS/GNSS、工業(yè)無線電通信等，符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應(yīng)用：智能手機晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應(yīng)用等。日本KDS晶振，大真空有源振蕩器，有源貼片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，壓控溫補晶振，GPS導(dǎo)航晶振，大真空2016晶振。
株式會社-大真空（簡稱KDS,即商標）是全球領(lǐng)先的晶振制造商之一，成立于1959年，已有51年歷史。ISO9001、ISO14001、ISO/16949等國際體系認證是KDS品質(zhì)和信譽的保證。KDS晶振主要生產(chǎn)溫補晶振（TCXO）、恒溫晶振（OCXO）、壓控晶振（VCXO）、時鐘晶振（SPXO）、晶體諧振器（Crystal Resonators）、晶體濾波器（Crystal Filters）等產(chǎn)品；其產(chǎn)品廣泛用于手機、對講機、GPS/北斗定位儀、汽車電子系統(tǒng)、倒車雷達、小型基站、LTE、RFID、激光測距儀、筆記本、平板電腦、數(shù)字集群通信系統(tǒng)、儀器儀表等領(lǐng)域。
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
| 類型 | DSA211SDN （VC-TCXO） | |||
| 頻率范圍 | 12.288 至 52MHz | |||
| 標準頻率 | 19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz | |||
| 電源電壓范圍 | +1.68 至 +3.5V | |||
| 電源電壓 （VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V | |||
| 電流消耗 | 最大 +1.5mA （f≦26MHz）/最大 +2.0mA （26<f≦52MHz） | |||
| 輸出電平 | 最小 0.8Vp-p （f≦52MHz） （削波正弦波/直流耦合） | |||
| 輸出負載 | 10kΩ//10pF | |||
| 頻率穩(wěn)定性 | 寬容 | ±1.5×10-6以下（2次回流焊后） | ||
| 與溫度 | ±1.0×10-6，±2.5×10-6 最大值/-30 至 +85°C | |||
| ±1.0×10-6，±2.5×10-6 最大值/-40 至 +85°C（可選） | ||||
| 與電源電壓 | 最大 ±0.2×10-6 （VCC ±5%） | |||
| 與負載變化 | 最大 ±0.2×10-6 （10kΩ//10pF±10%） | |||
| vs. 衰老 | ±1.0×10-6 最大值/年 | |||
| 頻率控制 | 控制靈敏度 | ±3.0×10-6 至 ±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧ +2.6V | ||
| ±3.0×10-6 至 ±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V | ||||
| 響應(yīng)斜率 | 陽性 | |||
| 啟動時間 | 最大 2.0ms | |||
| 相位噪聲 | [f≦26MHz] | [26MHz<f≦40MHz] | [40MHz<f≦52MHz] | |
| 偏移 100Hz | -115dBc/Hz | -110dBc/Hz | -105dBc/Hz | |
| 偏移 1kHz | -130dBc/Hz | -130dBc/Hz | -125dBc/Hz | |
| 偏移 10kHz 偏移 100kHz | -150dBc/Hz | -150dBc/Hz | -145dBc/Hz | |
| -155dBc/Hz | -155dBc/Hz | -150dBc/Hz | ||
| 包裝單位 | 3000 個/卷 （Φ180） | |||
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振
所有晶振產(chǎn)品的共同點
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。
深圳市龍湖電子有限公司
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