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全國服務(wù)熱線0755-29952551

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NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SDA晶振

頻率:20.0~50.0MHz

尺寸:2.5*2.0mm

小體積貼片2520mm晶振,外觀小型,表面貼片型晶體諧振器,因本身體積小等優(yōu)勢,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.小型,薄型,輕型 (2.5 × 2.0 × 0.5 mm typ.) 具備優(yōu)良的耐環(huán)境特性及高耐熱性強(qiáng).滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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NDK-1

LH-1

NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SDA晶振,日本電波工業(yè)株式NDK晶振會社作為壓電石英晶體元器件、壓電石英晶振、有源晶振、壓電陶瓷諧振器、石英晶振器件的專業(yè)生產(chǎn)廠家,以“通過對客戶的服務(wù),為社會繁榮和世界和平作出貢獻(xiàn)”的創(chuàng)業(yè)理念為基礎(chǔ)于1948年成立。現(xiàn)在我們作為提供電子業(yè)必不可少的,在豐富用途被廣泛使用的晶體元器件產(chǎn)品以及應(yīng)用水晶技術(shù)的傳感器等新的高附加價值產(chǎn)品的頻率綜合生產(chǎn)廠家,正以企業(yè)的繼續(xù)成長為目標(biāo)而努力。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振經(jīng)營范圍:晶體諧振器、晶體振蕩器等晶體元器件、應(yīng)用器件、石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振,壓控振蕩器,貼片晶振,人工水晶及芯片等的晶體相關(guān)產(chǎn)品的制造與銷售。

石英晶振真空退火技術(shù):晶振高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計好的溫度曲線,使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線對晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性。

LH-2

NDK晶振

單位

NZ2520SDA晶振

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

20.0~50.0MHz

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲存溫度

T_stg

-40°C ~+85°C

裸存

工作溫度

T_use

-10°C~+70°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵功率

DL

1000μW Max.

推薦:1μW 100μW

頻率公差

f_— l

±20 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn))

+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明,
請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息, http://www.cnlifecy.cn/

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.

負(fù)載電容

CL

16PF

不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

LH-3

NDK-2

NZ2520SDA_2.5_2.0 CMOS

LH-4

所有產(chǎn)品的共同點
1:抗沖擊 
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響. 
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射. 
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品. 
4:粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.) 
5:鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SDA晶振

LH-5

日本電波工業(yè)株式NDK晶振已經(jīng)建立和正在推動一項中期計劃的具體減排目標(biāo),以減少二氧化碳的排放是全球變暖的原因。它也有助于減少(抑制)CO2排放量,通過使用最先進(jìn)的技術(shù),實現(xiàn)最小化,以及減少石英晶體諧振器,石英晶體的重量和功耗,以支持社會的需要。
日本電波工業(yè)株式NDK晶振的新概念的溫補(bǔ)晶振,石英晶體振蕩器器件。通過產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。
制造業(yè)-環(huán)保生產(chǎn)—我們將介紹一些情況下,發(fā)現(xiàn)CO2排放量的產(chǎn)品生命周期使用環(huán)境LCA方法。

NDK晶振,貼片晶振,NZ2520SDA晶振

LH-6

深圳市火運電子有限公司

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相關(guān)的晶振產(chǎn)品

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振
LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振
LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動晶振,2016貼片晶振,日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動 : Max. 100fs @156.25MHz;為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時鐘。差分晶振常用于高精度的時鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲器和精密儀器等。它的優(yōu)點包括低相位噪聲、低抖動和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對時鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號,差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見的是貼片差分晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
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GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振,DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm,是2016晶振,頻率是20.000MHZ,日本進(jìn)口晶振,支持低電壓,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu),用途為手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)無線電通信等,符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應(yīng)用:智能手機(jī)晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應(yīng)用等。日本KDS晶振,大真空有源振蕩器,有源貼片晶振,石英有源晶振,2016mm有源晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,GPS導(dǎo)航晶振,大真空2016晶振。
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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片,日本進(jìn)口晶振DSB 221SDN系列中的1XXB16368MAA晶振,尺寸2.5x2.0mm,為2520石英貼片,頻率16.368MHZ,KDS晶振,石英晶體振蕩器,TCXO溫補(bǔ)晶振,有源晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器,石英有源晶振,2520mm有源晶振,溫補(bǔ)石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,低抖動溫補(bǔ)晶振,低電壓溫補(bǔ)晶振,低相位溫補(bǔ)晶振,低相噪溫補(bǔ)晶振,低耗能溫補(bǔ)晶振,高質(zhì)量溫補(bǔ)晶振,移動電話溫補(bǔ)晶振,2520石英晶體振蕩器,GPS全球定位系統(tǒng)晶振,測試設(shè)備有源晶振,空中雷達(dá)有源晶振,6G電信有源晶振,交換機(jī)有源晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用有源晶振,具有低耗能高質(zhì)量的特點。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測量儀表中。
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