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頻率：0.2~167MHz
尺寸：5.0×3.2mm
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對(duì)應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要..
KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器.日本大真空株式會(huì)社,于1993年被天津政府對(duì)外資招商部特別邀請(qǐng)?jiān)谥袊旖蛲顿Y.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時(shí)總額1.4億美元,注冊(cè)資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動(dòng)子,剛投資建廠時(shí)主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.
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項(xiàng)目 |
符號(hào) |
DSO531SR晶振規(guī)格說明 |
條件 |
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輸出頻率范圍 |
f0 |
0.2~167MHZ |
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息 |
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電源電壓 |
VCC |
1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V/5.0V |
請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息 |
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儲(chǔ)存溫度 |
T_stg |
-40℃ to +125℃ |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
G: -40℃ to +85℃ |
請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cnlifecy.cn/ |
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H: -40℃ to +105℃ |
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J: -40℃ to +125℃ |
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頻率穩(wěn)定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
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L: ±100 × 10-6 |
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T: ±150 × 10-6 |
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功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
無負(fù)載條件、最大工作頻率 |
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待機(jī)電流 |
I_std |
20μA Max. |
ST=GND |
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占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF |
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輸出電壓
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VOH |
VCC-0.4V Min. |
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VOL |
0.4 V Max. |
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輸出負(fù)載條件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
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輸入電壓 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 終端 |
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VIL |
20 % VCC Max. |
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上升/下降時(shí)間 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 極, L_CMOS=15 pF |
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振蕩啟動(dòng)時(shí)間 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
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頻率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1：抗沖擊 是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2：輻射 將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長(zhǎng)時(shí)間的照射
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境 請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑 請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物 請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電 過高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器
KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng)。 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、石英晶體諧振器、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
KDS集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源，以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故，保護(hù)公眾健康的同時(shí)，努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識(shí)的活動(dòng)，提高公眾對(duì)普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、5032晶振等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
KDS晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略，提高自主創(chuàng)新能力，確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略，提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力，確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器
深圳市龍湖電子有限公司
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SG2520EGN差分振蕩器,EPSON晶振,X1G0058810002,6G無線晶振，尺寸2.5*2.0mm,頻率156.25MHZ，OSC振蕩器，石英差分晶振，低抖動(dòng)振蕩器，差分貼片晶振，低相位差分振蕩器，SPXO晶體振蕩器，5G將使網(wǎng)絡(luò)通信流量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。5G/6G通信網(wǎng)絡(luò)要求高速寬頻帶，同時(shí)最大限度地減少噪音。這將實(shí)現(xiàn)與高頻率，低抖動(dòng)用于通信設(shè)備的參考時(shí)鐘，其中將使用小尺寸光模塊。SG2016EGN/SG2520EGN是非常受歡迎的SG3225EEN系列的下一代產(chǎn)品，提供相同的功能具有廣泛的可用頻率范圍，低抖動(dòng)和改進(jìn)的頻率容限的功能組合由于在更小的封裝中使用了帶有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部設(shè)計(jì)IC，因此性能更好。
有源晶振產(chǎn)品主要應(yīng)用：網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(路由器、交換機(jī)、光模塊等)，數(shù)據(jù)中心，測(cè)試和測(cè)量設(shè)備，工廠自動(dòng)化，高速轉(zhuǎn)換器，如ADC和DAC等領(lǐng)域.SG2520EGN差分振蕩器,EPSON晶振,X1G0058810002,6G無線晶振.
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