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Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振

頻率:10~54MHz

尺寸:3.2x2.5mm

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振AbraconCrystal艾博康晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,ABM8W是一款小體積晶振尺寸3.2x2.5x0.75mm晶振,頻率范圍:10MHz~54MHz,ABM8W-40.0000MHZ-4-B1U-T3四腳貼片晶振,ABM8W-20.0000MHZ-4-D1X-T3石英晶振,無(wú)源晶振,石英晶體諧振器,為節(jié)能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,以極低的電鍍電容,低至4pF,與優(yōu)化的ESR,最大高度為0.75mm,最適合用于受高度約束的設(shè)計(jì),密封的長(zhǎng)期可靠性,應(yīng)用于可穿戴設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng)(IoT),藍(lán)牙/藍(lán)牙低能耗(BLE),無(wú)線模塊晶振,機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)連接,超低功率單片機(jī),近場(chǎng)通信(NFC),ISM波段,工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療用波段等應(yīng)用.
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Abracon-2

LH-1

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振AbraconCrystal艾博康晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,ABM8W是一款小體積晶振尺寸3.2x2.5x0.75mm晶振,頻率范圍:10MHz~54MHz,ABM8W-40.0000MHZ-4-B1U-T3四腳貼片晶振,ABM8W-20.0000MHZ-4-D1X-T3石英晶振,無(wú)源晶振,石英晶體諧振器,為節(jié)能可穿戴設(shè)備和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,以極低的電鍍電容,低至4pF,與優(yōu)化的ESR,最大高度為0.75mm,最適合用于受高度約束的設(shè)計(jì),密封的長(zhǎng)期可靠性,應(yīng)用于可穿戴設(shè)備,物聯(lián)網(wǎng)(IoT),藍(lán)牙/藍(lán)牙低能耗(BLE),無(wú)線模塊晶振,機(jī)器對(duì)機(jī)器(M2M)連接,超低功率單片機(jī),近場(chǎng)通信(NFC),ISM波段,工業(yè)、科學(xué)和醫(yī)療用波段等應(yīng)用.

LH-2

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振,參數(shù)圖

Abracon晶振規(guī)格

單位

ABM8W貼片晶振頻率范圍

石英晶振基本條件

標(biāo)準(zhǔn)頻率

f_nom

10~54.0MHZ

標(biāo)準(zhǔn)頻率

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55°C  +125°C

裸存

工作溫度

T_use

-40°C  +125°C

標(biāo)準(zhǔn)溫度

激勵(lì)功率

DL

200μW Max.

推薦:1μW  100μW

頻率公差

f_— l

±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 
 ±50 × 10-6 可用)

+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,

頻率溫度特征

f_tem

±30 × 10-6/-20°C  +70°C

超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.http://www.cnlifecy.cn/

負(fù)載電容

CL

8pF ,10PF,12PF,20PF

不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.

串聯(lián)電阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

頻率老化

f_age

±5 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

LH-3

Abracon-1

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振,尺寸圖

ABM8W 3225

LH-4

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振

1:抗沖擊 
抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o(wú)論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響. 
2:輻射
將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽(yáng)光長(zhǎng)時(shí)間的照射. 
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品. 
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.) 
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂.  Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振
6:靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞貼片晶振,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.LH-5

Abracon艾博康晶振ABM8W,ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3無(wú)源晶振

 Abracon llc晶振減少污染物排放,對(duì)不可再生的資源進(jìn)行有效利用.減少?gòu)U物的產(chǎn)生,對(duì)其排放的責(zé)任進(jìn)行有效管理,有效地使用能源.通過(guò)設(shè)計(jì)工藝程序?qū)T工進(jìn)行培訓(xùn)保護(hù)環(huán)境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的石英晶振、溫補(bǔ)晶體振蕩器、差分晶振、有源晶振石英晶體諧振器的信息,對(duì)環(huán)境有重大健康安全和環(huán)境的運(yùn)營(yíng)現(xiàn)狀進(jìn)行糾正.

 Abracon llc晶振保持就健康安全環(huán)境問(wèn)題與臨近攝取進(jìn)行對(duì)話.通過(guò)在環(huán)境控制方面實(shí)施優(yōu)秀的管理實(shí)踐,以保護(hù)環(huán)境和與強(qiáng)生公司全球運(yùn)作相關(guān)的自然資源.向員工灌輸環(huán)境價(jià)值觀,在所有的壓控石英晶體振蕩器VCXO)、壓電石英晶體、有源晶體和生產(chǎn)過(guò)程中應(yīng)用最佳環(huán)境實(shí)用技術(shù),為全球可持續(xù)發(fā)展做出貢獻(xiàn).

原廠編碼 廠家 型號(hào) 系列 頻率 包裝/封裝
ABM8W-12.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 12MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-13.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 13MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-13.5600MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 13.56MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-16.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 16MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-16.3840MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 16.384MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-18.4320MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 18.432MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-20.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 20MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-25.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 25MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-26.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 26MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-27.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 27MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-30.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 30MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-40.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 40MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-12.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 12MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-13.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 13MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-16.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 16MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-18.4320MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 18.432MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-20.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 20MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-25.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 25MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-27.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 27MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-30.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 30MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-40.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 40MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-12.0000MHZ-4-K1Z-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 12MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-16.0000MHZ-4-K1Z-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 16MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-20.0000MHZ-4-K1Z-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 20MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-32.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 32MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-24.0000MHZ-4-B1U-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 24MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-26.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 26MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-32.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 32MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-24.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 24MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W-48.0000MHZ-4-D1X-T3 Abracon晶振 ABM8W MHz Crystal 48MHz 4-SMD, No Lead
ABM8W.3225

LH-6

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