隨著超過一億的物聯網和可穿戴設備出貨量落后于我們，根本原因現在已經眾所周知。為了節省電力，IC 設計人員降低了驅動 32.768kHz 石英晶體的皮爾斯振蕩器的跨導 (gm)。通過減小 gm，電路的驅動力不可避免地被削弱了。皮爾斯振蕩器最終會在驅動具有較重電容負載的傳統電鍍SMD無源晶體時遇到麻煩。新的低功耗 MCU 可能會在驅動幾個額外的皮法電容時遇到麻煩。額外的負載限制了設計中的余量，尤其是在考慮所有工藝角和整個工作溫度范圍時。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3

2012 年，大多數32.768K音叉晶體經過鍍層后的 CL 約為 9pF。傳統上，皮爾斯振蕩器電路的 gm 可以克服這種電鍍負載并維持振蕩，但這一切都改變了。MCU 現在需要鍍層負載遠低于以往設想的晶體。解決方案是采用新的電鍍設計，實現 6pF 的 CL，降低 33%。

等效串聯電阻 (ESR) 和并聯電容 (C0) 的組合也影響了皮爾斯振蕩器感知的負載。ESR 和 C0 必須與 CL 一起同時降低。考慮到 ESR 和 CL 是石英電鍍設計中唯一可優化的參數，執行新的低負載水平需要先進的工程和世界級的制造。嚴格的要求迫使許多供應商避免變更或冒險失敗。由于晶體與 MCU 的 Pierce 振蕩器之間的不匹配，可穿戴設備行業即將面臨危機——很明顯，現有無源晶振并未針對物聯網應用進行優化。艾博康推出的小體積高性能的SMD晶體諧振器ABM10-16.000MHZ-D30-T3