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Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG

頻率：156.25MHZ

尺寸：7.0×5.0mm

Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG，尺寸7.00mmx5.00mm，頻率為156.25MHz，輸出邏輯LVPECL，電壓為3.3V，XO時鐘振蕩器，石英晶體振蕩器，差分晶振，LVPECL輸出晶振，有源晶體振蕩器，低電壓差分振蕩器，低抖動差分晶振，低相位差分晶振，低功耗差分晶振，7050mm有源晶振，高質量差分晶振，Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先進的DSPLL電路以在高速差分頻率下提供超低抖動時鐘。 不像傳統的XO，每個輸出需要不同的晶體 頻率，Si535/536使用一個固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。

該有源晶體振蕩器很適合用于10/40/100G數據中心，10G以太網交換機/路由器 光纖通道/SAS/存儲，企業服務器，網絡 ，電信等領域。Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG.

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Abracon-2

LH-1

Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG，尺寸7.00mmx5.00mm，頻率為156.25MHz，輸出邏輯LVPECL，電壓為3.3V，XO時鐘振蕩器，石英晶體振蕩器，差分晶振，LVPECL輸出晶振，有源晶體振蕩器，低電壓差分振蕩器，低抖動差分晶振，低相位差分晶振，低功耗差分晶振，7050mm有源晶振，高質量差分晶振，Si535/536 XO采用了Skyworks Solutions先進的DSPLL電路以在高速差分頻率下提供超低抖動時鐘。 不像傳統的XO，每個輸出需要不同的晶體 頻率，Si535/536使用一個固定晶體來提供寬范圍的輸出頻率。

該有源晶體振蕩器很適合用于10/40/100G數據中心，10G以太網交換機/路由器 光纖通道/SAS/存儲，企業服務器，網絡 ，電信等領域。Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG.

LH-2

Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG     參數表

Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Supply Voltage1 V DD 3.3 V option 2.97 3.3 3.63 V
2.5 V option 2.25 2.5 2.75 V
Supply Current IDD Output enabled
LVPECL
LVDS 		—
— 		111
90 		121
98 		mA
Tristate mode — 60 75 mA
Output Enable (OE)2 VIH 0.75 x V DD — — V
VIL — — 0.5 V
Operating Temperature Range TA –40 — 85 °C
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS 100 — 312.5 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping 		— ±1.5 — ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20 		—
— 		+7
+20 		ppm
Aging fa Frequency drift over first year         ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life 		— — ±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm — — ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm — — 20
Powerup Time3 tOSC TA = –40°C — +85°C         10 ms
Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
Nominal Frequency1 fO LVPECL/LVDS 100 — 312.5 MHz
Initial Accuracy fi Measured at +25 °C at time of
shipping 		— ±1.5 — ppm
Temperature Stability1,2 –7
–20 		—
— 		+7
+20 		ppm
Aging fa Frequency drift over first year         ±3 ppm
Frequency drift over 20 year
life 		— — ±10 ppm
Total Stability2 Temp stability = ±20 ppm — — ±31.5 ppm
Temp stability = ±7 ppm — — 20
Powerup Time3 tOSC TA = –40°C — +85°C         10 ms
Parameter Symbol Rating Unit
Maximum Operating Temperature TAMAX 85 °C
Supply Voltage, 2.5/3.3 V Option V DD –0.5 to +3.8 V
Input Voltage (any input pin) VI –0.5 to V DD+ 0.3 V
Storage Temperature TS –55 to +125 °C
ESD Sensitivity (HBM, per JESD22-A114) ESD 2500 V
Soldering Temperature (Pb-free profile)2 T PEAK 260 °C
Soldering Temperature Time @ T PEAK (Pb-free profile)2 tP 20–40 seconds

LH-3

Abracon-1

Silicon高質量振蕩器Si536/6G路由器晶振/536AB156M250DG     尺寸圖Si535 Si536

差分晶振產品特性：

可選擇頻率從100兆赫到312.5兆赫

3代DSPLL®優越的抖動性能和高功率供應噪聲抑制

更好的頻率穩定性比鋸振蕩器

可用LVPECL和LVDS輸出

3.3和2.5 V供應選項

工業標準5 x 7毫米包和針

無鉛/RoHS兼容Si535 Si536 1Si535 Si536 2

更多相關Silicon晶振型號

Manufacturer Part Number原廠代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓 Frequency Stability頻率穩定度
531FB106M250DG Silicon Labs Si531 106.25MHz 2.5V ±20ppm
531AC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531AC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 3.3V ±7ppm
530AC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
530BC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 3.3V ±7ppm
531BC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 3.3V ±7ppm
530FC200M000DG Silicon Labs Si530 200MHz 2.5V ±7ppm
536BB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
536FB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536AB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 3.3V ±20ppm
510FBA125M000BAG Silicon Labs Si510 125MHz 2.5V ±25ppm
511BBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510FBA100M000BAG Silicon Labs Si510 100MHz 2.5V ±25ppm
511FBA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 2.5V ±25ppm
510BBA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511BBA125M000AAG Silicon Labs Si511 125MHz 3.3V ±25ppm
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510BBA148M500BAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
511BBA156M250AAG Silicon Labs Si511 156.25MHz 3.3V ±25ppm
510FBA156M250AAG Silicon Labs Si510 156.25MHz 2.5V ±25ppm
511ABA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510FBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 2.5V ±25ppm
511BBA155M520AAG Silicon Labs Si511 155.52MHz 3.3V ±25ppm
510BBA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510ABA148M500AAG Silicon Labs Si510 148.5MHz 3.3V ±25ppm
510DBA100M000AAG Silicon Labs Si510 100MHz 3.3V ±25ppm
531AC125M000DG Silicon Labs Si531 125MHz 3.3V ±7ppm
531FC125M000DG 美國Silicon進口晶振 Si531 125MHz 2.5V ±7ppm
530AC156M250DG Silicon Labs Si530 156.25MHz 3.3V ±7ppm
531FC156M250DG Silicon Labs Si531 156.25MHz 2.5V ±7ppm
531FC148M500DG Silicon Labs Si531 148.5MHz 2.5V ±7ppm
531AC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
530AC155M520DG Silicon Labs Si530 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531BC155M520DG Silicon Labs Si531 155.52MHz 3.3V ±7ppm
531FC200M000DG Silicon Labs Si531 200MHz 2.5V ±7ppm
530BC148M500DG Silicon Labs Si530 148.5MHz 3.3V ±7ppm
536EB156M250DG Silicon Labs Si536 156.25MHz 2.5V ±20ppm
536BB125M000DG Silicon Labs Si536 125MHz 3.3V ±20ppm
531AC622M080DG Silicon Labs Si531 622.08MHz 3.3V ±7ppm
531AC312M500DG Silicon Labs Si531 312.5MHz 3.3V ±7ppm
510ABA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
510BBA000149BAG Silicon Labs Si510 74.175824MHz 3.3V ±25ppm
511FBA000149BAG Silicon Labs Si511 74.175824MHz 2.5V ±25ppm
510ABA106M250BAG Silicon Labs Si510 106.25MHz 3.3V ±25ppm
511ABA106M250BAG Silicon Labs Si511 106.25MHz 3.3V ±25ppm

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