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Vectron晶振,石英晶振,OX-209晶振

頻率：20.0-35.0MHZ

尺寸：25.4*25.4mm

具有最適合于移動(dòng)通信設(shè)備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應(yīng)低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應(yīng)DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應(yīng)回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.

訂購熱線：0755-29952551

維管晶振,貼片晶振,OX-209晶振，有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

貼片晶振曲率半徑加工技術(shù)：石英晶振晶片在球筒倒邊加工時(shí)應(yīng)用到的加工技術(shù)，主要是研究滿足不同曲率半徑石英晶振晶片設(shè)計(jì)可使用的方法。如：1、是指球面加工曲率半徑的工藝設(shè)計(jì)（ a、球面的余弦磨量； b、球面的均勻磨量；c、球面加工曲率半徑的配合）2、在加工時(shí)球面測量標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)計(jì)原則（曲率半徑公式的計(jì)算）。

Vectron晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10.00MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnlifecy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

低抖動(dòng)晶振,智能手機(jī)晶振,OX-209晶振

我們可以改善的頻率輸出的偏差超過范圍由以下幾個(gè)方法：

調(diào)整外部電容，Cd和CG的值。

如果由頻率計(jì)數(shù)器測量頻率比目標(biāo)頻率高，要增加外部電容CL（或Cd以及C 8的值），以降低頻率到我們的目標(biāo)頻率，反之亦然。

可以采用不同負(fù)載電容（CL）的晶振試用。

試用晶振具有較低電容若頻率比目標(biāo)頻率超高很多的話。

請檢查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正確的電容是通過和頻率調(diào)節(jié)到目標(biāo)之后。根據(jù)該波形振幅收縮，由于增加外部電容，請使用方法2調(diào)整頻率（較低的外部電容，并采用低電容的晶體）的情況。

頻率輸出頻率的目標(biāo)只有三分之一。

晶振具有多種振動(dòng)模式，如基頻， 3次泛音，5次泛音等等。當(dāng)基頻模式應(yīng)用時(shí)，晶振的電阻是最低的，這意味著它是最簡單的石英晶體振蕩器。當(dāng)?shù)谌{(diào)模式被應(yīng)用，一個(gè)放大電路必須被利用以降低基本模式的頻率反饋到所述延伸小于所述第三音調(diào)模式。因此，如果頻率是只有三分之一的目標(biāo)頻率時(shí)，要檢查是否放大處理電路被施加或它的設(shè)定值就足夠了，因?yàn)殡娐返沫h(huán)境適合于基本模式，而不是第三次泛音調(diào)模式。

該電路可能不振蕩，如果放大電路不施加或它的設(shè)定值是不足夠的。