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EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

頻率:10~40MHZ

尺寸:5.0*3.2mm

智能手機進口晶振,產品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛星導航,平臺基站等數碼產品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優良的電氣特性,耐環境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
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LH-1ESPON-1

EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振,石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術:是目前研發及生產高精度、高穩定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關鍵技術之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設計等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內。

溫補晶振(TCXO)產品本身具有溫度補償作用,高低溫度穩定性:頻率精度高0.5 PPM-2.0 PPM,工作溫度范圍:-30度至85度,電源電壓:1.8V-3.3V之間可供選擇,產品本身具有溫度電壓控制功能,世界上較薄的貼片晶振封裝,頻率:26兆赫,33.6兆赫,38.4兆赫,40兆赫,因產品性能穩定,精度高等優勢,被廣泛應用到一些比較有品質的數碼通訊產品領域,全球導航定位系統,智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產品,符合RoHS/無鉛.

精工愛普生株式會社(總經理:碓井 稔,以下簡稱為“愛普生”)在2008年正式和深圳市金洛鑫電子有限公司簽訂在中國區域深圳總代理簽訂合作協議,在同年期間蘇州愛普生水晶宣布將高端的石英晶體振蕩器生產重心轉移到中國蘇州愛普生工廠生產,并且成立研發中心.因為智能手機,以及GPS衛星導航的普及,有源晶振得到迅速的發展,并且從早期5X7mm的體積演變到今天2520mm體積的溫補晶振,壓控晶振,以下是有源石英晶體振蕩器部分產品型號,愛普生料號等.

LH-2

型號

TG5032CBN晶振

輸出頻率范圍

10~40MHZ

電源電壓范圍

2.7~5.5V

電源電壓(Vcc)

+3.3V

消耗電流

+90mA max.

驅動輸出

CMOS

輸出電壓

0.8Vp-p min.(f52MHz)(削峰正弦波/DC-coupled)

輸出負載

10kΩ//15pF

頻率穩定度

常溫偏差

±1.5×10-6 max.(After 2 reflows)

溫度特性

±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-40~+85(Option)

電源電壓特性

±0.2×10-6 max.(VCC ±5%)

負載變化特性

±0.2×10-6 max.(10kΩ//10pF±10%)

長期變化

±1.0×10-6 max./year

頻率控制

控制靈敏度

±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC+2.6V
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V

頻率控制極性

正極性

愛普生TCXO有源振蕩器型號列表:

Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
TG5032SAN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
TG5032SAN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
TG5032SAN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
TG5032SAN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
愛普生TCXO有源振蕩器編碼列表:

Rearranges
Product Number
Rearranges Rearranges Rearranges
Model
Frequency LxWxH
Rearranges Rearranges,Rearranges
Output Wave
F.Tol@25°C
Rearranges Rearranges Rearranges
Ope Temperature
Freq/Temp I [Max]
Rearranges Rearranges
Freq. Control
25°C Aging
X1G0044410101 TG5032SAN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
X1G0044410102 TG5032SAN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
X1G0044410103 TG5032SAN 30.720000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
X1G0044410104 TG5032SAN 40.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm Clipped sine wave +/-2.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.25 ppm ≤ 5.0 mA -10 to -5 Vc=0.5V +/-0.02ppm
X1G0045710085 TG5032CBN 24.576000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710086 TG5032CBN 10.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710088 TG5032CBN 15.360000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710091 TG5032CBN 19.200000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
X1G0045710092 TG5032CBN 26.000000 MHz 5.00 x 3.20 x 1.45 mm CMOS +/-1.0 ppm -40 to +85 °C +/-0.28 ppm ≤ 5.0 mA +/-0.5ppm
LH-3

ESPON-2

TG5032CBN 5032LH-4

存儲事項:(1) 在更高或更低溫度或高濕度環境下長時間保存貼片石英晶振時,會影響頻率穩定性或焊接性。請在正常溫度和濕度環境下保存這些石英晶振產品,并在開封后盡可能進行安裝,以免長期儲藏。 正常溫度和濕度: 溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 請仔細處理內外盒與卷帶。外部壓力會導致卷帶受到損壞。EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

機械振動的影響:當進口溫補晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如:壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。 

PCB設計指導:(1) 理想情況下,機械蜂鳴器應安裝在一個獨立于有源晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當應用于PCB板本身或PCB板體內部時,機械振動程度有所不同。建議遵照內部板體特性。(2) 在設計時請參考相應的推薦封裝。(3) 在使用焊料助焊劑時,按JIS標準(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來使用。(4) 請按JIS標準(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來使用無鉛焊料。 

LH-5

愛普生晶振集團不斷改進設計,優化工藝,調整工廠布局,采取相應措施,減少各種污染環境的因素,盡可能地節省有源進口晶體振蕩器資源和能源,積極保護廠區和周圍地區的環境,在本公司,,壓電石英晶體、有源晶體的生產與經營過程中充分考慮對環境的影響,為人類的健康生存和持續發展作出貢獻.EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CBN晶振,X1G0045710085晶振

愛普生晶振環境管理體系:在每一個運行部門,實施支持方針的系統的環境管理工具.我們將確保適當的人力資源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環境管理以及行為改進進口5032振蕩器的目標和指標. 環境行為評價:評價我們運行以及員工的環境行為表現,確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.

加強環境意識教育,提高全員環境意識,充分調動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器(TCXO)、恒溫晶體振蕩器(OCXO),,石英晶振,有源晶振環保型原材料,減少5032mm行車記錄儀晶振生產過程中的廢棄物產生量,努力向相關方施加環境影響.  我們的活動、產品和服務首先要遵守和符合有關環境的法律和其他環境要求.努力探索生產中所使用的有毒有害物質的替代,本著污染預防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.

LH-6

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EPSON晶振,溫補晶振,TG5032SBN晶振,X1G0045810085晶振
小型貼片有源晶振,體積的變小也使產品帶來了更高的穩定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,貼片高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態輸出功能,電源電壓范圍:1.8V?5 V,高穩定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數碼相機,DSL和各式IT產品的晶振應用,三態功能,PC和LCDM等數碼領域,符合RoHS/無鉛.
EPSON晶振,溫補晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044310086晶振
EPSON晶振,溫補晶振,TG5032SAN晶振,X1G0044310086晶振
小型表面貼片晶振型,是標準的石英晶體振蕩器,適用于寬溫范圍的電子數碼產品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機等領域.可對應10.000MHz以上的頻率,在電子數碼產品,以及家電相關電器領域里面發揮優良的電氣特性,滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
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