頻率：10~40MHZ
尺寸：5.0*3.2mm
EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振,石英晶振在選用晶片時應注意溫度范圍、晶振溫度范圍內的頻差要求，貼片晶振溫度范圍寬時(-40℃-85℃)晶振切割角度比窄溫(-10℃-70℃)切割角度應略高。對于晶振的條片，長邊為 X 軸，短邊為 Z 軸，面為 Y 軸。對于圓片晶振，X、Z 軸較難區分，所以石英晶振對精度要求高的產品（如部分定單的 UM-1），會在 X 軸方向進行拉弦（切掉一小部分），以利于晶振的晶片有方向的裝架點膠，點膠點點在 Z 軸上。保證晶振產品的溫度特性。
5032mm體積的石英晶體振蕩器,晶振,該產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊盤,及IR回流焊盤(無鉛對應),為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
日本精工愛普生接受了中國蘇州政府2007 年的招商引資,命名為【愛普生拓優科夢水晶元器件（蘇州）有限公司】 愛普生拓優科夢（Epson Toyocom）是精工愛普生株式會社與愛普生（中國）有限公司共同投資成立的有限責任公司（外商合資）.目前注冊資本2500萬美金.現員工人數:1500人.主要從事石英晶振系列產品的生產,投資初期主要生產32.768KHZ系列產品,從2009年起32.768K系列產品轉向馬來西亞量產.蘇州愛普生工廠就以生產高端的石英晶體振蕩器為主,普通石英晶體諧振器為輔.
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型號 |
TG5032CAN晶振 |
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輸出頻率范圍 |
10~40MHZ |
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電源電壓范圍 |
2.7~5.5V |
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電源電壓（Vcc） |
+3.3V |
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消耗電流 |
+90mA max. |
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驅動輸出 |
CMOS |
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輸出電壓 |
0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled） |
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輸出負載 |
10kΩ//15pF |
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頻率穩定度 |
常溫偏差 |
±1.5×10-6 max.（After 2 reflows） |
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溫度特性 |
±1.0×10-6,±2.5×10-6 max./-55~+125℃ |
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電源電壓特性 |
±0.2×10-6 max.（VCC ±5%） |
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負載變化特性 |
±0.2×10-6 max.（10kΩ//10pF±10%） |
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長期變化 |
±1.0×10-6 max./year |
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頻率控制 |
控制靈敏度 |
±3.0×10-6~±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧+2.6V |
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頻率控制極性 |
正極性 |
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愛普生TCXO有源振蕩器型號列表:
愛普生TCXO有源振蕩器編碼列表:
Model
Frequency
LxWxH
Output Wave
F.Tol@25°C
Ope Temperature
Freq/Temp
I [Max]
Freq. Control
25°C Aging
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
26.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-1.5 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
38.400000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 2.0 mA
+/-1ppm
TG2016SAN
24.000000 MHz
2.00 x 1.60 x 0.73 mm
Clipped sine wave
+/-2.0 ppm
-30 to +85 °C
+/-0.50 ppm
≤ 1.6 mA
+/-1ppm
TG5032CAN
10.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
15.360000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
25.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
20.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
0 to +70 °C
+/-0.10 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
19.200000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
TG5032CAN
26.000000 MHz
5.00 x 3.20 x 1.45 mm
CMOS
+/-2.0 ppm
-40 to +85 °C
+/-0.25 ppm
≤ 5.0 mA
-10 to -5 Vc=0.5V
+/-0.02ppm
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Frequency | LxWxH |
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F.Tol@25°C |
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Freq/Temp | I [Max] |
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25°C Aging | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210003 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210004 | TG2016SAN | 26.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-1.5 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210005 | TG2016SAN | 38.400000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 2.0 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044210007 | TG2016SAN | 24.000000 MHz | 2.00 x 1.60 x 0.73 mm | Clipped sine wave | +/-2.0 ppm | -30 to +85 °C | +/-0.50 ppm | ≤ 1.6 mA | +/-1ppm | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310086 | TG5032CAN | 10.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310088 | TG5032CAN | 15.360000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310093 | TG5032CAN | 25.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310097 | TG5032CAN | 20.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | 0 to +70 °C | +/-0.10 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310101 | TG5032CAN | 19.200000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| X1G0044310102 | TG5032CAN | 26.000000 MHz | 5.00 x 3.20 x 1.45 mm | CMOS | +/-2.0 ppm | -40 to +85 °C | +/-0.25 ppm | ≤ 5.0 mA | -10 to -5 Vc=0.5V | +/-0.02ppm |
晶振產品的設計和生產直到出廠,都會經過嚴格的測試檢測來滿足它的規格要求。通過嚴格的出廠前可靠性測試以提供高質量高的可靠性的石英晶振.但是為了TCXO晶振的品質和可靠性,必須在適當的條件下存儲,安 裝,運輸。請注意以下的注意事項并在最佳的條件下使用產品,我們將對于客戶按自己的判斷而使用石英晶振所導致的不良不負任何責任。EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
機械振動的影響:當貼片石英晶振產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶振產品設計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
溫補振蕩器產品使用每種產品時,請在石英晶振規格說明或產品目錄規定使用條件下使用。因很多種晶振產品性能,以及材料有所不同,所以使用注意事項也有所不同,比如焊接模式,運輸模式,保存模式等等,都會有所差別。
加強環境意識教育,提高全員環境意識,充分調動職工的積極性,積極使用溫補晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）,晶振,石英晶振,有源晶振環保型原材料,減少OSC晶體振蕩器生產過程中的廢棄物產生量,努力向相關方施加環境影響. 我們的活動、產品和服務首先要遵守和符合有關環境的法律和其他環境要求.努力探索生產中所使用的有毒有害物質的替代,本著污染預防的思想,使我們的有源晶振,壓控振蕩器, 晶振,石英晶振更趨于綠色,提高本公司的社會形象.EPSON晶振,溫補晶振,TG5032CAN晶振,X1G0044310086晶振
愛普生晶振集團不斷改進設計,優化工藝,調整工廠布局,采取相應措施,減少各種污染環境的因素,盡可能地節省TCXO晶體振蕩器資源和能源,積極保護廠區和周圍地區的環境,在本公司,貼片晶振,壓電石英晶體、有源晶體的生產與經營過程中充分考慮對環境的影響,為人類的健康生存和持續發展作出貢獻.
愛普生晶振環境管理體系：在每一個運行部門,實施支持方針的系統的環境管理工具.我們將確保適當的人力資源和充分的財力保障.每年我們都將建立可測量的環境管理以及行為改進汽車電子晶振的目標和指標. 環境行為評價：評價我們運行以及員工的環境行為表現,確認支撐著本方針的成績.我們將向我們的員工提供信息,以及能夠將方針與各自工作職責完全結合的培訓.
深圳市火運電子有限公司
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