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KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器

頻率：19.2~60MHz

尺寸：2.0×1.6mm

VCXO是指這款晶體產(chǎn)品控制功能只有單壓控也就是電壓控制功能，產(chǎn)品本身頻率精度可以隨著電壓搞定起伏來自動調(diào)整頻率，使產(chǎn)品永遠控制在一定的頻率范圍，應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用, VCXO,壓控晶體應(yīng)用：調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無線基站,程控交換設(shè)備智能手機,筆記本晶振等

訂購熱線：0755-29952551

LH-1 KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器.日本株式會社KDS晶振不斷努力為我們的客戶在日本國內(nèi)外提供世界一流的質(zhì)量和滿意程度高.所生產(chǎn)石英晶體,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國、英國、德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以“依賴”為公司方針,以客戶為導(dǎo)向,創(chuàng)新高效的經(jīng)營管理,努力創(chuàng)造利潤,履行企業(yè)社會責(zé)任.世界上最薄的溫補晶振封裝,因產(chǎn)品性能穩(wěn)定,精度高等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用到一些比較高端的數(shù)碼通訊產(chǎn)品領(lǐng)域,GPS全球定位系統(tǒng),智能手機,WiMAX和蜂窩和無線通信等產(chǎn)品,符合RoHS/無鉛.

LH-2

型號		DSV211AR(VCXO)
輸出頻率范圍		19.2~60MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+1.8V/+2.6V/+2.8V/+3.0V/+3.3V
消耗電流		+1.5mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6 max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6 max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6 max.（V_CC ±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6 max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6 max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V　@V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V　@V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

DSV211AR 2016 VCXO

LH-4 石英晶振各項注意事項：
所有產(chǎn)品的共同點
1：抗沖擊是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射
3：化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4：粘合劑請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）
5：鹵化合物請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6：靜電過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作。KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器

LH-5 KDS晶振集團通過適當控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域，從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團業(yè)務(wù)政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
推進晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
KDS晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
過去KDS晶振集團已經(jīng)針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責(zé)任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進。KDS晶振,DSV211AR晶振,壓控晶體振蕩器