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RTH7050PA適用于5G網(wǎng)絡(luò)的±20ppb穩(wěn)定性混合TCXO,溫度補(bǔ)償晶體振蕩器
Rakon宣布推出RTH7050PA，這是一款高性能混合TCXO溫補(bǔ)晶振，采用Rakon專有的Mercury+™ ASIC。該產(chǎn)品采用混合技術(shù)，其中ASIC具有兩個(gè)功能，即溫度補(bǔ)償和用于保持諧振器溫度恒定的加熱元件。該振蕩器在-40至+105℃的寬溫度范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)了±20ppb的頻率穩(wěn)定性。其隨溫度變化的頻率斜率低至0.5ppb/℃
RTH7050PA采用高Q晶振和內(nèi)部石英制造工藝，具有出色的近距離相位噪聲性能，全因穩(wěn)定性≤4.6ppm/20年。標(biāo)稱頻率范圍為10至50MHz，采用10焊盤，占位面積為7.5x5.5mm。
5G無線電和前傳同步系統(tǒng)使用帶寬非常低的伺服系統(tǒng)，低至mHz范圍。為了滿足ITU-T為前傳路由器和交換機(jī)規(guī)定的對(duì)無線電的嚴(yán)格 3GPP空中接口要求和時(shí)間對(duì)齊誤差要求，具有非常好的中短期性能的頻率參考是必不可少的。

時(shí)間：2022-05-21 瀏覽：194
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ROD2522S2具有24小時(shí)保持性能2522封裝的OCXO,恒溫晶體振蕩器
Rakon宣布發(fā)布ROD2522S2—世界上最小的24小時(shí)保持PPS紀(jì)律OCXO。25x22x12mm表面貼裝器件是第一個(gè)0.5ppb pk-pk級(jí)PPS紀(jì)律OCXO，恒溫晶體振蕩器，可實(shí)現(xiàn)24小時(shí)保持（1.5 µs，5℃溫度窗口）。標(biāo)稱頻率在10到20MHz之間可用。ROD2522S2提供-40℃至95℃的擴(kuò)展溫度范圍，并實(shí)現(xiàn)低于0.2 ppb/天的頻率老化，最大補(bǔ)償老化為0.02 ppb/天，該產(chǎn)品在此性能水平上顯著減小了封裝尺寸并降低了功耗。憑借先進(jìn)的電路和經(jīng)過仿真優(yōu)化的熱機(jī)械結(jié)構(gòu)，這些集成解決方案使PPS Disciplined OCXO能夠在小型封裝中運(yùn)行智能補(bǔ)償。ROD2522S2具有24小時(shí)保持性能，支持電信主時(shí)鐘設(shè)計(jì)

時(shí)間：2022-05-21 瀏覽：136
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ECS公司的使命與愿景推動(dòng)公司快速發(fā)展
ECS Inc.International以提供最新的新興技術(shù)而享有盛譽(yù)，其產(chǎn)品范圍廣泛，包括石英晶體、石英晶體振蕩器、諧振器、石英和SAW濾波器、功率電感器以及最近的實(shí)時(shí)時(shí)鐘。所有這些產(chǎn)品都非常適合汽車、醫(yī)療和多種無線/可穿戴應(yīng)用。

這是 ECS Inc. International 40 多年歷史中首次更新這些聲明。更新后的聲明反映了企業(yè)文化，并與組織的目標(biāo)和目標(biāo)保持一致。

時(shí)間：2022-05-20 瀏覽：435
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Abracon在小尺寸和超低抖動(dòng)性能上具有最優(yōu)收斂性
由于時(shí)鐘抖動(dòng)的不斷增加，系統(tǒng)設(shè)計(jì)者面臨著一個(gè)根本性的挑戰(zhàn)，當(dāng)參考振蕩器內(nèi)部的石英晶體尺寸減小時(shí)，保持優(yōu)越的RMS抖動(dòng)性能的能力變得具有挑戰(zhàn)性。隨著不斷的需求，無論是整體系統(tǒng)的大小還是功能，設(shè)計(jì)師都在尋找符合最優(yōu)的參考時(shí)鐘收斂在小尺寸和抖動(dòng)性能。

時(shí)間：2022-05-19 瀏覽：511
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SiT5022差分振蕩器覆蓋220至625MHz之間的任何頻率,SiT5022AC-1CE-33VQ123.123456T
SiT5022是一款可編程差分MEMS TCXO，支持LVPECL和LVDS差分晶振輸出信號(hào)類型。該差分振蕩器覆蓋220至625MHz之間的任何頻率，具有0.6ps RMS 相位抖動(dòng)。SiT5022提供電壓（2.5V至3.3V）、牽引范圍、頻率穩(wěn)定性（±5ppm）和封裝（3225、5032、7050）選項(xiàng)的任意組合。這種可編程性使設(shè)計(jì)人員能夠優(yōu)化時(shí)鐘配置，同時(shí)消除與石英TCXO溫補(bǔ)晶振相關(guān)的較長交貨時(shí)間和定制成本，其中每個(gè)頻率都是定制的。

時(shí)間：2022-05-19 瀏覽：88
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SiT5008是一款±2至±10ppm的低功耗TCXO溫補(bǔ)晶振,SiT5008BI-1C-18C-26.000000D
SiT5008是一款±2至±10ppm的低功耗TCXO溫補(bǔ)晶振。它的工作頻率范圍為10至60MHz。它與傳統(tǒng)石英TCXO引腳兼容，無需重新設(shè)計(jì)或布局更改即可實(shí)現(xiàn)100%直接替換。SiT5008非常適合連接消費(fèi)產(chǎn)品、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和其他低功耗無線應(yīng)用。這種基于硅MEMS的TCXO提供更高的可靠性和業(yè)界最佳的振動(dòng)和沖擊環(huán)境彈性。

時(shí)間：2022-05-19 瀏覽：104
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適用于超聲波的低成本SMD石英晶體SMD03025/4US系列
每個(gè)開發(fā)和生產(chǎn)專家都知道！石英晶體不能處理超聲波焊接和清洗。高頻焊接或清洗過程會(huì)損壞石英晶體諧振器。

Landsberg am Lech 的時(shí)鐘專家 PETERMANN-TECHNIK 是世界上第一個(gè)展示 SMD 石英的小型陶瓷外殼，尺寸為 3.2×2.5 mm，專為處理基于超聲波的焊接和清潔而開發(fā)。轟動(dòng)！

同時(shí)，3.2×2.5 mm/4pad外殼的SMD石英（SMD03025/4系列）已成為陶瓷外殼中最便宜的微型SMD石英。出于這個(gè)原因，適合超聲波焊接和清潔的石英在需求量最大的外殼中是合乎邏輯的，3.2×2.5 mm/4pad。

時(shí)間：2022-05-18 瀏覽：592
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NDK剖析完整的晶體濾波器解決方案問題,您想知道的都有
標(biāo)稱頻率:中心頻率的標(biāo)稱值，通常用作標(biāo)準(zhǔn)頻率的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)。
通帶寬度:保證時(shí)的頻率間隔，相對(duì)衰減值等于或小于
衰減量:指定衰減量的量。
紋波:當(dāng)衰減值達(dá)到最大值時(shí)的差值之間的最大值，最大衰減和最小衰減稱為漣漪。

插入損耗(插入衰減):電力為負(fù)載阻抗提供，是晶體前的比值過濾器插入后，過濾器已插入。這是通常用分貝表示。插入損失作為衰減參考電平。停止帶寬:保證時(shí)的頻率寬度，相對(duì)衰減值等于或大于衰減量:指定衰減量的量。

保證衰減和保證衰減頻帶:相對(duì)衰減及其在頻帶上的保證衰減頻帶。終止阻抗:定義為源阻抗或負(fù)載，從濾波器側(cè)觀察阻抗，它通常是用電阻和并聯(lián)電容表示。

時(shí)間：2022-05-18 瀏覽：485
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超小型低功耗32.768kHz的SiT1552系列MEMS溫度補(bǔ)償振蕩器,SiT1552AI-JE-DCC-32.768Q
SiT1552是一款超小型超低功耗32.768kHz TCXO，針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。SiTime的硅MEMS技術(shù)實(shí)現(xiàn)了世界上最小尺寸和芯片級(jí)封裝(CSP)的第一個(gè)32 kHz TCXO。典型的內(nèi)核電源電流僅為1 A，SiTime的MEMS振蕩器由MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路組成。我們的MEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMS First工藝制造。一個(gè)關(guān)鍵的制造步驟是EpiSeal，在此期間，MEMS諧振器在1000°c以上的溫度下退火。EpiSeal產(chǎn)生了一個(gè)非常堅(jiān)固、干凈的真空室，用于封裝MEMS諧振器，并確保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期間，在諧振器腔的頂部生長多晶硅帽，這消除了對(duì)額外的帽晶片或其他外來封裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器芯片可以像任何其他半導(dǎo)體芯片一樣使用。SiTime的MEMS優(yōu)先和EpiSeal制造工藝的一個(gè)獨(dú)特成果是能夠?qū)iTime的MEMS芯片與SOC、ASIC、微處理器或模擬芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，以消除外部時(shí)序元件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。

時(shí)間：2022-05-17 瀏覽：165
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SiT1630是一款針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化的超低功耗振蕩器,SiT1630AI-H4-DCC-32.768S
SiT1630是一款超小型超低功耗32.768kHz振蕩器，針對(duì)電池供電應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。SiTime的MEMS振蕩器由MEMS諧振器和一個(gè)可編程模擬電路組成。我們的MEMS諧振器采用SiTime獨(dú)特的MEMS First工藝制造。一個(gè)關(guān)鍵的制造步驟是EpiSeal，在此過程中，MEMS諧振器在1000°c以上的溫度下退火。EpiSeal創(chuàng)建了一個(gè)非常堅(jiān)固、干凈的真空室，用于封裝MEMS諧振器，并確保最佳性能和可靠性。在EpiSeal期間，在諧振器腔的頂部生長多晶硅帽，這消除了對(duì)額外的帽晶片或其他外來封裝的需要。因此，SiTime的MEMS諧振器芯片可以像任何其他半導(dǎo)體芯片一樣使用。SiTime的MEMS優(yōu)先和EpiSeal制造工藝的一個(gè)獨(dú)特成果是能夠?qū)iTime的MEMS芯片與SOC、ASIC、微處理器或模擬芯片集成在一個(gè)封裝內(nèi)，以消除外部時(shí)序元件，并為客戶提供高度集成、更小、更便宜的解決方案。

時(shí)間：2022-05-17 瀏覽：125
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