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ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I795晶振

頻率：10-245MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要.

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I795晶振，3225mm體積的石英晶體振蕩器有源晶振,改產(chǎn)品可驅(qū)動2.5V的溫補(bǔ)晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產(chǎn)品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應(yīng)自動高速貼片機(jī)自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應(yīng)）,為無鉛產(chǎn)品,超小型,質(zhì)地輕.產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用到集成電路,程控交換系統(tǒng),無線發(fā)射基站.

隨著時間的推移，頻率值隨著晶振變化的大小，有年老化和日老化兩種指標(biāo)。高精度恒溫晶振（OCXO）可以達(dá)到10-8 ppm/年。以上是選型時工程師應(yīng)考慮的晶振參數(shù)，前5個參數(shù)一般就能選出相對應(yīng)的石英晶振型號。其中最重要的指標(biāo)是晶振頻率穩(wěn)定度。所謂高端，就是晶振頻率穩(wěn)定度非常好的晶振。隨著技術(shù)的發(fā)展，對高端晶振的需求會日益增加。我們的恒溫晶振（OCXO）頻率穩(wěn)定性可以達(dá)到10-9級別。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	10-245MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnlifecy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振

有源晶振的負(fù)載電容與阻抗

負(fù)載電容與阻抗有源晶振設(shè)置一個規(guī)定的負(fù)載阻抗值。當(dāng)一個值除了規(guī)定的一個設(shè)置為負(fù)載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導(dǎo)致問題例如：失真的輸出波形。特別是設(shè)置電抗，根據(jù)規(guī)范的負(fù)載阻抗。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振

輸出頻率和輸出電平，當(dāng)測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負(fù)載阻抗石英晶體振蕩器。當(dāng)輸入阻抗的測量儀器，不同的負(fù)載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

機(jī)械處理

當(dāng)貼片晶振發(fā)生外置撞擊時，任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時，或者產(chǎn)品不小心跌落時，強(qiáng)烈的外置撞擊都將會導(dǎo)致晶振損壞，或者頻率不穩(wěn)定現(xiàn)象。不執(zhí)行任何強(qiáng)烈的沖擊石英晶體振蕩器。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振

如果一個強(qiáng)大的沖擊已經(jīng)給振蕩器確保在使用前檢查其特點(diǎn)。

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I795晶振

ILSI晶振集團(tuán)運(yùn)用ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)進(jìn)行環(huán)境管理，盡最大可能減小業(yè)務(wù)活動對環(huán)境造成的負(fù)擔(dān)，并通過業(yè)務(wù)發(fā)展推進(jìn)環(huán)境改善。

ILSI晶振遵守所有適用的有關(guān)環(huán)境、健康和安全的智能手機(jī)晶振法律和法規(guī)以及CTS晶振集團(tuán)自己的有關(guān)環(huán)境、工業(yè)衛(wèi)生和安全的方針和承諾。

與我們的員工一起開創(chuàng)并保持一個免于事故的工作場所。重視污染預(yù)防，消除偏離程序的行為強(qiáng)調(diào)通過員工努力這一最可行的方法持續(xù)改進(jìn)我們經(jīng)營活動的環(huán)境績效。

將持續(xù)的環(huán)境、健康和安全方面的改進(jìn)、污染預(yù)防和員工的3225小體積振蕩器努力納入日常運(yùn)行當(dāng)中。加強(qiáng)污染防治，減少現(xiàn)有的污染廢棄物以及在未來生產(chǎn)制造中所產(chǎn)生的污染。金屬面晶振,高性能晶振,I795晶振

ILSI晶振集團(tuán)為車載級晶體振蕩器確保安全、提高保護(hù)預(yù)防措施、產(chǎn)品的可靠性以及職業(yè)安全，確保職業(yè)健康與環(huán)境的優(yōu)越性，通過正式的管理評審和對健康、安全和環(huán)境實(shí)施效果的持續(xù)改進(jìn)，保護(hù)人群及財產(chǎn)與環(huán)境。

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