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ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I747晶振

頻率：8-40.0MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

智能手機(jī)晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動(dòng)通信終端的基準(zhǔn)時(shí)鐘等移動(dòng)通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無(wú)線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺(tái)基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類(lèi)移動(dòng)通信的基準(zhǔn)時(shí)鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動(dòng)通信領(lǐng)域,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I747晶振，小型表面貼片晶振型,是標(biāo)準(zhǔn)的石英晶體諧振器,適用于寬溫范圍的電子數(shù)碼產(chǎn)品,家電電器及MP3,MP4,播放器,單片機(jī)等領(lǐng)域.可對(duì)應(yīng)8.000MHz以上的頻率,在電子數(shù)碼產(chǎn)品,以及家電相關(guān)電器領(lǐng)域里面發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的回流溫度曲線要求.

與其它電子元件相似，石英晶體振蕩器亦采用愈來(lái)愈小型的封裝。通常，較小型的器件比較大型的表面貼裝或穿孔封裝器件更昂貴。所以，小型封裝的石英晶振往往要在性能、輸出選擇和頻率選擇之間作出折衷。我們的石英晶體振蕩器有插件晶振(DIP)、貼片晶振(SMD)封裝，插件晶振如長(zhǎng)方形的DIP14封裝，正方形的DIP8插件晶振封裝等，貼片晶振有7.0*5.0mm貼片晶振、6.0*3.5mm貼片晶振，5.0*3.2mm貼片晶振，3.2*2.5mm貼片晶振，2.5*2.0mm貼片晶振等封裝。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	8-40.0MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵(lì)功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明, 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cnlifecy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF to 32pF	不同負(fù)載電容要求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

石英晶體振蕩器,3225mm貼片晶振,I747晶振

石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍

這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。石英晶體振蕩器,3225mm貼片晶振,I747晶振

1.此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。

系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。

2.請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端SMD晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。

3.請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問(wèn)題是根據(jù)頻率什么。

4.如果是從電源的交流信號(hào)，請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng)，如果它不是。石英晶體振蕩器,3225mm貼片晶振,I747晶振

5.如果信號(hào)具有高頻率，請(qǐng)使用以下方法：使用有源晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。

增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。

6.請(qǐng)檢查周?chē)娐泛蚉CB布局，如果上面的方法都沒(méi)有能夠解決您的問(wèn)題。如果兩者都正常，那么請(qǐng)你聯(lián)系IC制造商探討其芯片組設(shè)計(jì)的不明信號(hào)的反應(yīng)。改變周?chē)娐返脑O(shè)計(jì)只能緩解問(wèn)題，而不是完全解決它。通常。這將是最好找出來(lái)的芯片組設(shè)計(jì)問(wèn)題并解決它。

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I747晶振

ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低低消耗晶振對(duì)環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn).

ILSI晶振不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過(guò)持續(xù)性的展開(kāi)環(huán)?；顒?dòng)來(lái)預(yù)防污染。在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開(kāi)活動(dòng)的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)?；顒?dòng)的水平。

ILSI晶振通過(guò)與地區(qū)的交流及社會(huì)貢獻(xiàn)活動(dòng)，為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn)。并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國(guó)際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色小型SMD式3225晶振產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過(guò)SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.石英晶體振蕩器,3225mm貼片晶振,I747晶振

勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國(guó)及企業(yè)關(guān)注焦點(diǎn),如何做到‘降低職業(yè)災(zāi)害發(fā)生、確保有源貼片晶振工作場(chǎng)所安全、實(shí)施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向

ILSI晶振,溫補(bǔ)晶振,I747晶振