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ILSI晶振,溫補晶振,I531晶振

頻率：10-27.0MHZ

尺寸：5.0*7.0mm

小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也試產品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍：1.8V?5 V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應用領域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本WLAN,藍牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產品的晶振應用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領域,符合RoHS/無鉛.

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,溫補晶振,I531晶振，7050mm體積非常小的SMDcrystal器件,是民用小型無線數(shù)碼產品的最佳選擇,小體積的晶振被廣泛應用到,手機藍牙,GPS定位系統(tǒng),無線通訊集,高精度和高頻率的穩(wěn)定性能,非常好的減少電磁干擾的影響,是民用無線數(shù)碼產品最好的選擇,符合RoHS/無鉛.
壓電石英晶振主要是利用石英材料（水晶）的壓電效應制成的電子原件和器件，壓電效應是一種機電能量互換的現(xiàn)象，壓電效應分為正壓電效應和逆壓電效應，正壓電效應是以機械應力及，應變（形變）作用而使物體產生電荷或電壓輸出。逆壓電效應是以電能輸入使之產生機械能或，位移（形變）的輸出。如果把交變電壓施加到石英晶振芯片兩個電極之間，當交變電壓的頻率與石英晶振芯片固有頻率一致時，通過逆壓電效應，芯片便產生機械振動，同時又通過正壓電效應而輸出電信號。石英晶振材料的壓電效應是有方向性的，只有在電軸方向才具有壓電效應。石英有天然自然的結晶體，也有人工制造的結晶體。天然石英和人造石英均為多面體形狀。目前電子元器件使用的主要是人造石英材料。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	10-27.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.cnlifecy.cn/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF to 32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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一般來說，微處理器的振蕩電路由考畢茲電路顯示派生如下：

鎘和CG是外部負載電容，其中已建成的芯片組。（請參閱芯片組的規(guī)格）

Rf為具有200KΩ?1MΩ反饋電阻。它的內置芯片一般設置。SMD有源晶振,石英晶體振蕩器,I531晶振

Rd為限流電阻470Ω與1KΩ?。這個阻力是沒有必要的公共電路，但僅用于具有高電源電路。

一個穩(wěn)定的振蕩電路需要的負電阻，其值應是晶振阻力的至少五倍。它可寫為|-R|>5的Rr。

例如，為了獲得穩(wěn)定的振蕩電路中，IC的負電阻的值必須小于？200Ω時的晶振電阻值是40Ω。負阻“的標準來評估一個振蕩電路的質量。在某些情況下，例如老化，熱變化，電壓變化，以及等等，電路可能不會產生振蕩的“Q”值是低的。因此，這是非常重要的衡量負電阻（-R）以下說明：SMD有源晶振,石英晶體振蕩器,I531晶振

線路連接的電阻（R）與晶體串聯(lián)

（2）從起點到振蕩的停止點調整R的值。

（3）振蕩期間測量R的值。

（4）你將能夠獲得負電阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所連接的電路的雜散電容，可能會影響測定值。

如果晶振的參數(shù)是正常的，但它不工作穩(wěn)步振蕩電路中，我們將不得不找出IC的電阻值是否過低驅動電路。如果是這樣的話，我們有三種方法來改善這樣的情況：

降低外部電容（Cd和CG）的值，并采用其他晶振具有較低負載電容（CL）。

采用具有較低電阻（RR）的晶振。

使用光盤和CG的不等價的設計。我們可以增加鎘（XOUT）的負載電容和降低CG（辛）的負載電容以提高從辛波形幅度將在其后端電路中使用的輸出。

當有信號輸出從XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情況下 - 電極后端電路是極其巨大的。我們可以添加一個緩沖電路的輸出和它的后電極之間，以驅動后端電路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步驟1-4-4的三種方法。如有不明白請聯(lián)系我公司晶振的應用工程師和IC制造商尋求進一步的幫助，如果你的問題不能得到解決。系統(tǒng)無法運行，因為石英晶體沒有足夠的輸出波形振幅。

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ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低小型家電產品貼片晶振對環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內環(huán)保、勞安法令要求,產品同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色高品質晶振產品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.SMD有源晶振,石英晶體振蕩器,I531晶振
勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關注焦點,如何做到‘降低職業(yè)災害發(fā)生、確保差分輸出壓控晶振工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向,公司于2008年12月ILSI晶振,溫補晶振,I531晶振