頻率：1-40.0MHZ
尺寸：18.3*11.7mm
有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要..
ILSI晶振,貼片晶振,I122晶振，石英晶體振蕩器有源晶振,改產品可驅動2.5V的溫補晶振,壓控晶振,VC-TCXO晶體振蕩器產品,電源電壓的低電耗型,編帶包裝方式,可對應自動高速貼片機自動焊接,及IR回流焊接（無鉛對應）,為無鉛產品,超小型,質地輕.產品被廣泛應用到集成電路,程控交換系統,無線發射基站.
石英晶振高精度晶片的拋光技術：貼片晶振是目前晶片研磨技術中音叉晶振表面處理技術的最高技術，最終使晶振晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達到一般研磨所達不到的產品性能，使溫補晶振的等效電阻等更接近理論值，使晶振可在更低功耗下工作。使用先進的牛頓環及單色光的方法去檢測晶片表面的狀態。
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ILSI晶振 |
單位 |
晶振參數 |
石英晶振基本條件 |
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標準頻率 |
f_nom |
1-40.0MHZ |
標準頻率 |
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儲存溫度 |
T_stg |
-50°C to +150°C |
裸存 |
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工作溫度 |
T_use |
-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C |
標準溫度 |
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激勵功率 |
DL |
100 µW Max |
推薦:1μW ～ 100μW |
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頻率公差 |
f_— l |
±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm |
+25°C 對于超出標準的規格說明, |
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頻率溫度特征 |
f_tem |
±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm |
超出標準的規格請聯系我們. |
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負載電容 |
CL |
8pF to 32pF |
不同負載電容要求,請聯系我們. |
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串聯電阻(ESR) |
R1 |
如下表所示 |
-40°C ~ +125°C, DL = 100μW |
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頻率老化 |
f_age |
±3× 10-6 / year Max. |
+25°C,第一年 |
插件型晶振安裝注意事項：
安裝時的注意事項導腳型有源晶振• 構造圓柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 。
1.修改插件晶振彎曲導腳的方法(1) 要修改彎曲的導腳時，以及要取出晶振等情況下不能強制拔出導腳，如果強制地拔出導腳，會引起玻璃的破裂，而導致殼內真空濃度的下降，有可能促使晶振特性的惡化以及晶振芯片的破損。(2) 要修改彎曲的導腳時，要壓住外殼基側的導腳，且從上下方壓住彎曲的部位，再進行修改。溫補晶振,低電流電壓晶振,I122晶振
2.彎曲導腳的方法(1) 將導腳彎曲之后并進行焊接時，導腳上要留下離外殼0.5mm的直線部位。如果不留出導腳的直線部位而將導腳彎曲，有可能導致玻璃的破碎 。(2) 在導腳焊接完畢之后再將導腳彎曲時，務必請留出大于外殼直徑長度的空閑部分。溫補晶振,低電流電壓晶振,I122晶振
如果直接在外殼部位焊接，會導致殼內真空濃度的下降,使晶振特性惡化以及晶振芯片的破損。應注意將石英晶振平放時，不要使之與導腳相碰撞，請放長從外殼部位到線路板為止的導腳長度 (L) ，并使之大于外殼的直徑長度(D)。
ILSI晶振,貼片晶振,I122晶振
ILSI晶體科技本于‘善盡企業責任、降低石英晶振對環境沖擊、提升員工健康’的理念,執行各項環境及職業安全衛生管理工作;落實公司環安衛政策要求使環境暨安全衛生管理成效日益顯著,不僅符合國內環保、勞安法令要求,產品同時也能達到國際環保、安全衛生標準.
2003年通過ISO14001環境管理系統驗證,秉持“污染預防、持續改善”之原則,公司事業廢棄物產出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數據符合政府法規要求.并由原材料管控禁用或限用環境危害物質與國際大廠對于綠色生產及綠色普通有源晶振產品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.溫補晶振,低電流電壓晶振,I122晶振
勞工職業安全衛生議題近年成為世界各國及企業關注焦點,如何做到‘降低職業災害發生、確保有源插件晶振工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業安全衛生管理系統驗證,提供勞工符合系統要求的安全衛生工作環境.
ILSI晶振,貼片晶振,I122晶振
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