Transko首發VTXLN系列超低相位噪聲VCTCXO
在高端電子設備向精密化,高頻化,智能化迭代的浪潮中,時頻精度已成為衡量設備核心性能的關鍵指標,而相位噪聲作為衡量時頻器件性能的核心參數之一,直接決定了設備的信號純度,傳輸質量與測量精度,其性能表現甚至直接影響整個系統的運行穩定性與可靠性.傳統VCTCXO(壓控溫補晶體振蕩器)雖具備溫補,壓控雙重核心優勢,可實現頻率的精準調節與環境溫度補償,廣泛應用于各類中高端時頻場景,但受限于傳統技術設計,晶體加工工藝與電路布局水平,在相位噪聲控制上存在明顯短板,難以滿足高端通信,精密測試,量子通信等場景對低噪聲,高穩定的嚴苛需求.例如在微波光子雷達場景中,相位噪聲過高會導致雷達成像分辨率下降,目標識別精度降低;在量子密鑰分發場景中,相位噪聲過大會干擾密鑰的精準傳輸與同步,導致密鑰誤碼率升高,甚至影響整個量子通信網絡的安全運行.基于此,Transko研發團隊精準聚焦行業痛點,依托數十年時頻技術積淀與30余項核心專利儲備,組建專業研發團隊歷經多輪技術攻關,工藝優化與嚴苛測試,攻克晶體噪聲抑制,恒溫控制精度,電路噪聲屏蔽等核心技術難題,推出VTXLN系列超低相位噪聲VCTCXO,實現相位噪聲性能的跨越式突破,填補高端低噪聲VCTCXO壓控溫補晶振市場的技術空白,為高端場景提供更優的時頻解決方案.
核心突破:超低相位噪聲,筑牢高端時頻基準
VTXLN系列最核心的技術亮點,在于實現了超低相位噪聲的精準控制與穩定輸出,相較于傳統VCTCXO產品,其相位噪聲性能提升一個數量級以上,從源頭解決了高端場景中信號干擾,精度不足的核心痛點,為各類高端設備提供更純凈,更穩定的頻率基準,助力設備實現性能躍升.這一突破性成就的實現,并非單一技術的升級,而是得益于Transko三大核心技術的協同賦能,每一項技術都經過長期研發與實踐驗證,彰顯了Transko在時頻器件領域的深厚技術積淀與創新實力,也體現了Transko對高端場景需求的精準洞察.
(一)核心技術賦能,實現相位噪聲極致優化
VTXLN系列采用Transko特蘭斯科貼片晶振自主研發的超低噪聲晶體諧振技術,高精度恒溫控制技術與低噪聲電路設計,三者協同發力,相互支撐,從晶體基材,溫度控制,電路優化三個核心維度,實現相位噪聲的全方位,多層次抑制,構建起"源頭降噪+過程控噪+外部隔噪"的全鏈條噪聲控制體系.在晶體基材方面,VTXLN系列選用高純度人工合成石英晶體,純度可達99.999%以上,相較于行業常規晶體,其內部缺陷更少,振動特性更穩定,經過精密切割,高精度拋光與長達1000小時以上的老化處理,有效降低晶體本身的振動噪聲與熱噪聲,從源頭提升頻率輸出的純凈度.這種高純度晶體基材的頻率穩定性與噪聲抑制能力,遠超行業常規晶體,可將晶體自身噪聲降低40%以上,為VTXLN系列的超低相位噪聲性能奠定了堅實基礎,也確保了產品長期運行的穩定性.
在恒溫控制方面,溫度波動是導致相位噪聲惡化的核心因素之一,傳統VCTCXO的恒溫控制精度較低,難以有效抵消環境溫度變化對晶體振動的影響.VTXLN系列搭載Transko自研的高精度數字控溫算法與微型恒溫槽結構,恒溫控制精度可達±0.01℃,相較于傳統VCTCXO的±0.1℃精度大幅提升,可精準將晶體工作溫度維持在最優拐點溫度,有效抵消環境溫度波動(-40℃~+85℃)對晶體振動的影響,避免溫度變化導致的相位噪聲惡化與頻率漂移.同時,微型恒溫槽采用高效隔熱材料與優化的散熱結構,隔熱性能較傳統恒溫槽提升50%以上,既能快速實現恒溫穩定(預熱時間縮短至30秒以內),大幅提升設備啟動效率,又能減少自身發熱對周邊電路的干擾,進一步降低系統層面的噪聲干擾,形成"精準控溫+高效隔熱+低干擾"的恒溫控制體系,為超低相位噪聲輸出提供穩定保障.
在電路設計方面,電路自身的熱噪聲,電磁噪聲是影響相位噪聲的另一重要因素,VTXLN系列采用低噪聲放大電路與全方位電磁屏蔽設計,通過優化電路布局,縮短信號傳輸路徑,選用低噪聲元器件(如低噪聲晶體管,高精度電容電阻),最大限度抑制電路自身的熱噪聲,電磁噪聲,可將電路自身噪聲降低30%以上.同時,產品采用全屏蔽式封裝結構,封裝外殼選用高導電,高屏蔽效能的特種合金材質,內部設置獨立的電磁屏蔽層,可有效隔絕外部電磁干擾(如工業設備,通信信號,高頻輻射等),屏蔽效能達到行業領先水平.結合晶體噪聲的有效抑制,最終實現VTXLN系列的超低相位噪聲表現,其相位噪聲指標可達-150dBc/Hz@1kHz(10MHz頻段),遠超傳統VCTCXO的-130dBc/Hz@1kHz水平,甚至可媲美部分高端OCXO產品,在同類型VCTCXO產品中處于行業領先地位.此外,該系列產品還采用Transko自主研發的相位噪聲補償技術,通過算法優化對高頻段的噪聲進行精準補償,規避傳統產品因倍頻鏈噪聲累積導致高頻段相位噪聲急劇惡化的問題,實現全頻段(1MHz~100MHz)的低噪聲輸出,適配不同頻段的高端應用需求.
(二)兼顧多重優勢,適配高端場景多元需求
VTXLN系列并未局限于相位噪聲的單一突破,而是在保持超低相位噪聲核心優勢的同時,兼顧頻率穩定性,壓控靈活性,小型化設計等多重優勢,實現"高性能,多適配,易集成"的綜合特性,完美適配高端場景的多元需求,打破"高端性能必犧牲適配性"的行業認知.在頻率穩定性方面,VTXLN系列依托高純度晶體基材與高精度恒溫控制技術,頻率穩定度可達±0.05ppm(-40℃~+85℃寬溫域),老化率低至±0.3ppb/天(1ppb為十億分之一),遠優于傳統VCTCXO低功耗晶振的±0.1ppm頻率穩定度與±1ppb/天老化率,可確保設備在長期連續運行過程中(使用壽命可達5-10年),頻率輸出的穩定性與一致性,避免因頻率漂移導致的信號失真,測量誤差等問題,精準適配精密測試,高端通信等對頻率精度要求嚴苛的場景,為設備穩定運行筑牢時頻基準.
在壓控特性方面,VTXLN系列支持寬范圍壓控調節,壓控靈敏度可達1~100ppm/V,可根據客戶具體需求靈活選型,調節精度高,響應速度快(響應時間≤10μs),遠優于傳統VCTCXO的響應速度,可靈活適配不同設備的頻率微調需求.無論是通信設備的頻率同步,基站信號校準,還是測試儀器的頻率精準調節,都能實現快速,精準的頻率控制,提升設備的運行效率與穩定性.同時,該系列產品支持寬電壓供電(3.3V~5V),兼容不同設備的供電需求,無需額外配備專用電源模塊,進一步提升產品的適配性與集成便利性,降低客戶的設備設計與集成成本.此外,產品還具備優異的電壓穩定性,在供電電壓波動±10%的情況下,頻率輸出偏差仍可控制在±0.01ppm以內,確保設備在復雜供電環境中依然能穩定運行.
在小型化設計方面,隨著5G微站,便攜式精密測試儀器,車載高端模塊,量子通信終端等設備向小型化,集成化方向快速迭代,對時頻器件的體積要求愈發嚴苛.VTXLN系列采用Transko低抖動晶振自主研發的高密度集成工藝與超薄封裝設計,在保證性能不打折,可靠性不降低的前提下,對內部電路與結構進行優化整合,將封裝尺寸縮小25%以上,封裝規格覆蓋5mm×3.2mm×1.2mm~8mm×5mm×2mm多種規格,可根據不同設備的空間需求靈活選型.其中,5mm×3.2mm×1.2mm規格的型號,體積僅為傳統同性能VCTCXO的75%,小巧的身形可輕松嵌入小型化高端設備內部,無需額外占用過多安裝空間,為設備設計師提供更廣闊的設計空間,無需為適配時頻器件而犧牲設備的便攜性與集成性.這種小型化設計,完美適配5G微站,便攜式精密測試儀器,車載高端模塊,量子通信終端等小型化設備的集成需求,助力設備向更輕薄,更便攜,更集成的方向迭代升級.
(三)嚴苛環境適配,保障極端場景可靠運行
高端時頻應用場景往往面臨高低溫,振動,電磁干擾,高濕度等復雜惡劣環境,對器件的可靠性與環境適應性提出極高要求,器件的環境適應能力直接決定設備的使用壽命與運行穩定性.VTXLN系列經過嚴苛的工業級測試與驗證,在環境適應性方面表現優異,可從容應對各類極端場景的使用需求,為極端環境下的時頻應用提供可靠支撐.其工作溫度范圍覆蓋-40℃~+85℃,可適應北方冬季戶外極端低溫(-40℃)與工業高溫車間的惡劣環境(+85℃),即使在高低溫循環切換(-40℃~+85℃反復切換1000次以上)場景中,相位噪聲與頻率穩定性依然保持最優水平,無任何性能衰減;抗震強度可達800G(加速度),遠超行業同類產品的600G標準,內部采用加固型引線設計與柔性緩沖結構,引線選用高強度導電合金材質,搭配精準的封裝工藝,可有效吸收設備跌落,振動,沖擊帶來的沖擊力,避免內部晶體與電路損壞,確保頻率輸出穩定;屏蔽效能達到35dB以上,可有效隔絕外部電磁干擾,確保在工業車間,基站周邊,航空航天輔助設備等復雜電磁環境中穩定運行,不受外部電磁輻射的影響.此外,產品還具備優異的防潮性能,經過濕熱測試(溫度40℃,濕度90%,持續1000小時)后,性能無任何異常,可適配高濕度工業場景與戶外潮濕環境.
全場景賦能,解鎖高端時頻應用新可能
憑借超低相位噪聲,高頻率穩定性,靈活壓控特性與強環境適應性,VTXLN系列超低相位噪聲VCTCXO打破了傳統VC-TCXO晶振的應用局限,可廣泛適配高端通信,精密測試,航空航天輔助,量子通信,車載高端電子,微波光子雷達等多個核心領域,為各行業的技術升級與產品創新提供核心時頻支撐,解鎖高端時頻應用的全新可能,進一步拓寬Transko時頻產品的應用邊界,彰顯Transko在高端時頻領域的核心競爭力.無論是高端通信的高速傳輸,精密測試的精準測量,還是航空航天的極端環境適配,VTXLN系列都能憑借卓越性能,為設備提供穩定,純凈的時頻基準,助力各行業實現技術突破與產品升級.
在高端通信領域,VTXLN系列可廣泛適配5G毫米波終端,光纖通信設備,衛星通信終端,量子通信終端等產品,憑借超低相位噪聲性能,有效降低信號誤碼率,提升通信質量與傳輸速率,支撐5G高階調制技術(如1024QAM)與星地通信高碼率傳輸的實現,助力5G通信向高速率,低時延,廣連接方向發展.在5G毫米波通信場景中,相位噪聲過高會導致信號失真,頻譜效率下降,而VTXLN系列的超低相位噪聲的輸出,可確保毫米波信號的純凈度,提升信號覆蓋范圍與傳輸穩定性;在量子通信網絡中,該系列產品可適配量子密鑰分發,量子糾纏態傳輸等場景,滿足對光源噪聲抑制,全局相位高精度鎖定的嚴苛需求,為大規模量子密鑰分發網絡提供穩定的時頻基準,保障量子通信的安全性與可靠性,推動量子通信技術的產業化應用.
在精密測試領域,VTXLN系列可作為高端示波器,信號發生器,頻譜分析儀,頻率計數器,精密萬用表等測試儀器的核心頻率基準,其超低相位噪聲性能可大幅提升測試儀器的測量精度與穩定性,減少信號干擾帶來的測量誤差,確保測試數據的準確性與可靠性,助力科研機構,企業研發部門實現更高精度的測試與分析工作.尤其適配微波光子雷達,半導體芯片測試,光纖器件測試等對低噪聲,高分辨成像,高精度測量要求極高的測試場景——在微波光子雷達測試中,VTXLN系列的超低相位噪聲可提升雷達的成像分辨率與目標識別精度,助力雷達技術向高精度,高靈敏度方向發展;在半導體芯片測試中,可確保測試儀器的頻率基準穩定,精準檢測芯片的性能參數,助力芯片研發與生產的質量管控,推動半導體產業向高端化升級.
在航空航天6G晶振輔助領域,VTXLN系列可適配航空航天地面設備,衛星導航終端,深空探測輔助設備,機載通信設備等,憑借強環境適應性與高可靠性,在高低溫,強振動,強電磁干擾,真空等極端環境中穩定運行,為航空航天設備的時序同步,信號傳輸,精準控制提供可靠時頻支撐.在衛星導航終端中,該系列產品的高頻率穩定性可確保導航信號的精準同步,提升導航定位精度;在深空探測輔助設備中,其強環境適應性可抵御深空環境的極端低溫與強輻射,確保設備穩定運行,助力深空探測,衛星通信等領域的技術升級,為航空航天事業的發展提供核心時頻保障.
在車載高端電子領域,隨著車載電子向高端化,智能化迭代,ADAS輔助駕駛系統,車載導航系統,車載通信模塊,車載雷達等終端對時頻器件的可靠性與性能要求愈發嚴苛.VTXLN系列適配各類車載高端終端,可抵御汽車行駛過程中的高低溫循環(-40℃~+85℃),劇烈振動,電磁干擾(車載雷達,發動機等產生的電磁輻射)等復雜環境,確保設備穩定運行.在ADAS輔助駕駛系統中,其高頻率穩定性與超低相位噪聲可確保雷達,攝像頭等傳感器的數據同步采集與傳輸,提升自動駕駛的精準性與安全性;在車載導航系統中,可確保定位精度,避免因頻率漂移導致的定位誤差,提升導航體驗;同時,其低功耗設計也能適配新能源汽車的低功耗需求,助力車載電子向高端化,智能化,綠色化迭代.
品牌加持,品質護航:Transko的匠心堅守
作為深耕時頻器件領域數十年的創新企業,Transko始終將品質與創新放在首位,以匠心鑄品質,以嚴苛守初心,為VTXLN系列超低相位噪聲VCTCXO的高品質,高可靠性提供堅實保障,延續Transko"高可靠,長壽命,高精度"的產品核心優勢.VTXLN系列全面延續Transko成熟的全流程品質追溯體系,從原材料采購,晶體篩選,電路設計,封裝加工到成品測試,每一個環節都嚴格遵循ISO9001質量管理體系,ISO14001環境管理體系等國際最高行業標準,配備先進的檢測設備與專業的檢測團隊,實現從原材料到成品的全流程品質管控,確保每一款產品的一致性與可靠性.其中,晶體基材均選用全球優質供應商的高純度石英晶體,經過多輪篩選與老化測試,確保晶體性能穩定;封裝材料選用高強度,高導熱,抗干擾的特種材質,保障器件的結構穩定性與環境適應性;電路設計經過多輪優化與測試,確保低功耗,高穩定,低噪聲的性能表現.
每一款VTXLN系列產品,都需經過數十項嚴苛的檢測項目,涵蓋相位噪聲測試,頻率穩定性測試,壓控特性測試,高低溫循環測試,抗震性測試,抗電磁干擾測試,長期老化測試,濕度測試,電壓穩定性測試等,每一項檢測都采用行業先進的測試設備,由專業檢測人員全程操作,確保檢測數據的準確性與權威性.其中,相位噪聲測試采用行業先進的相位噪聲測試儀,可精準檢測產品在不同頻段(1MHz~100MHz),不同溫度(-40℃~+85℃)下的相位噪聲表現,確保每一款產品的指標都達到預設標準;長期老化測試持續1000小時以上,模擬產品長期運行場景,確保產品在長期使用過程中性能穩定無衰減.只有全部通過所有測試項目,且經過多輪抽樣復檢合格后,產品才能出廠交付客戶.憑借嚴苛的品質管控,VTXLN系列的故障率遠低于行業平均水平,可達百萬分之二以下,遠優于行業平均的百萬分之五故障率,為終端設備的長期穩定運行提供堅實保障,贏得全球客戶的認可與信賴.
同時,Transko依托"研發-生產-供應鏈"全產業鏈布局優勢,為VTXLN系列的穩定供應與高效服務提供有力支撐,徹底解決客戶的后顧之憂.在生產端,依托全球標準化生產基地,配備先進的生產設備與自動化生產線,實現VTXLN系列的穩定量產,可快速響應客戶的批量訂單需求,大幅縮短交貨周期,避免因供應鏈問題影響客戶生產計劃;在研發端,Transko持續投入大量資金與人力(研發投入占企業年營收的15%以上),聚焦行業技術發展趨勢與客戶需求痛點,不斷優化VTXLN系列的產品性能,同時可根據客戶的具體場景需求,提供定制化適配方案,包括相位噪聲優化,頻率定制(1MHz~100MHz),封裝定制,功耗優化等,滿足不同行業,不同場景的差異化需求;在服務端,Transko建立了完善的服務體系,提供從產品選型,測試調試,技術培訓到售后維護的全流程技術支持,配備專業的技術工程師團隊,24小時響應客戶咨詢,協助客戶快速解決產品集成,調試過程中遇到的各類問題,最大限度降低客戶的研發成本與周期,為客戶提供全方位,高效,貼心的服務.
技術引領,賦能未來:VTXLN開啟低噪聲時頻新征程
相較于傳統VCTCXO產品,VTXLN系列以"超低相位噪聲"為核心,兼顧頻率穩定性,壓控靈活性,小型化設計與強環境適應性,實現了"單一突破,全面提升"的產品升級,既填補了高端低噪聲VCTCXO市場的空白,又為各行業高端設備的技術升級提供了更優的時頻解決方案,推動時頻器件向更精準,更純凈,更可靠,更小型的方向發展,為高端時頻應用領域的技術進步注入新的活力.
在電子設備向高端化,精密化,智能化迭代的浪潮下,時頻精度與信號純度已成為衡量高端設備性能的核心指標,隨著5G,量子通信,航空航天,精密測試等領域的快速發展,市場對超低相位噪聲時頻器件的需求日益增長.VTXLN系列的推出,恰逢其時地滿足了市場對超低相位噪聲時頻器件的嚴苛需求,為各行業高端設備的技術升級提供了核心支撐.未來,Transko將繼續堅守"技術創新,品質至上"的核心理念,持續深耕時頻器件領域,不斷突破技術瓶頸,完善產品矩陣,推出更多兼具高性能,高可靠性,高性價比的時頻產品,涵蓋VCTCXO,OCXO,TCXO,MEMS振蕩器等全系列,為全球客戶提供更優質,更貼合需求的時頻解決方案,助力各行業實現技術升級與產品創新.
Transko將以VTXLN系列為契機,持續推動時頻技術的創新與應用,深化與全球合作伙伴的合作,聚焦高端通信,精密測試,航空航天,量子通信等核心領域,精準對接客戶需求,提供定制化,全方位的時頻解決方案.同時,Transko貼片有源晶振將繼續加大研發投入,布局下一代低噪聲時頻技術,結合MEMS技術,數字化控溫技術,三維集成技術,推動時頻器件向更小型,更低功耗,更高精度,更智能的方向發展,持續鞏固在全球時頻器件領域的領先地位.Transko將與全球合作伙伴攜手,助力各行業實現技術升級與產品創新,共赴時頻器件產業的美好未來,為全球電子產業的高質量發展注入源源不斷的動力.
Transko首發VTXLN系列超低相位噪聲VCTCXO
|
KDS晶振 |
1AJ250004B |
SMD-49 |
11*4.6 |
25.000MHZ |
20PF |
|
KDS晶振 |
1ZZCAA24000BE0B |
DSX211G |
2016 |
24.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N227000BB0AK |
DSX321G |
3225 |
27.000MHZ |
11PF |
|
KDS晶振 |
1N230000AB0C |
DSX321G |
3225 |
30.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N240000AB0J |
DSX321G |
3225 |
40.000MHZ |
15PF |
|
KDS晶振 |
1XSE098304AR2 |
DSO321SR |
3225 |
98.304MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AJ100005B |
SMD-49 |
11*4.6 |
10.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1ZN326000AB0A |
DSX221SH |
2520 |
26.000MHZ |
7PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006AEA |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006AK |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ240006BB |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AJ245765C |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
18PF |
|
KDS晶振 |
ZC08759 |
DSO211AH |
2016 |
25.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AR270002GA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
12.9PF |
|
KDS晶振 |
1AR304002A |
SMD-49 |
11*4.6 |
30.400MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1XXD16367MAA |
DSB211SDN |
2016 |
16.367MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC12467 |
DSA211SDN |
2016 |
16.32MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XXB16367MAA |
DSB221SDN |
2520 |
16.367MHZ |
2.8V |
|
KDS晶振 |
1XXB16369JFA |
DSB221SDN |
2520 |
16.369MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC09382 |
DSA535SG |
5032 |
18.432MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC12456 |
DSB211SDN |
2016 |
16.320MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZNA32000BB0B |
DSX221G |
2520 |
32.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
ZC12965 |
DSA321SDN |
3225 |
23.04MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
ZC13727 |
DSX221SH |
2520 |
24.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1ZNA16000AB0P |
DSX221G |
2520 |
16.000MHZ |
9PF |
|
KDS晶振 |
X1H013000B81H |
HSX531S |
5032 |
13.000MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
X4S013000DA1H-W |
HSX421S |
4025 |
13.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1XSE009600AV |
DSO321SV |
3225 |
9.6MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XSE012000AR58 |
DSO321SR |
3225 |
12.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZZNAE48000ZZ0R |
DSX211SH |
2016 |
48.000MHZ |
7PF |
|
KDS晶振 |
1N227000EE0L |
DSX321G |
3225 |
27.000MHZ |
9PF |
|
KDS晶振 |
1ZZCAA27120BB0D |
DSX211G |
2016 |
27.12MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0L |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
7.5pf |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0G |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
12.5PF |
|
KDS晶振 |
1RAK38400CKA |
DSR211STH |
2016 |
38.4MHZ |
7pf |
|
KDS晶振 |
7CG03840A06 |
DSR1612ATH |
1612 |
38.400MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1CX40000EE1O |
DSX840GA |
8045 |
40.000MHZ |
18PF |
|
KDS晶振 |
1SF805E1MM |
LOW PASS FILTER 1/4IN |
|
|
|
|
KDS晶振 |
1XSA050000AVW |
DSO751SV |
7050 |
50.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1ZCP37400AA0H |
DSX211AL |
2016 |
37.400MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1XSR025000AR25 |
DSO751SR |
7050 |
25.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AC112893EA |
AT-49 |
11*4.6 |
11.2893MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1AC125821EA |
AT-49 |
11*4.6 |
12.58291MHZ |
8.8PF |
|
KDS晶振 |
1XVD008192VB |
DSV321SV |
3225 |
8.192MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1XVD024000VA |
DSV321SV |
3225 |
24.000MHZ |
3.3V |
|
KDS晶振 |
1AR245766AZ |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
20PF |
|
KDS晶振 |
1AR245766BE |
SMD-49 |
11*4.6 |
24.576MHZ |
|
|
KDS晶振 |
1AR270002CG |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1AR270002CGA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1N226000AA0E |
DSX321G |
3225 |
26.000MHZ |
8.1PF |
|
KDS晶振 |
1AR270002EH |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1AV270002BA |
SMD-49 |
11*4.6 |
27.000MHZ |
16PF |
|
KDS晶振 |
1AY289002DB |
AT-49 |
11*4.6 |
28.900MHZ |
12PF |
|
KDS晶振 |
1C228322EE0D |
DSX321G |
3225 |
28.322MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C254000CC0C |
DSX321G |
3225 |
54.000MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C319200AA0A |
DSX321G |
3225 |
19.200MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1C338400AA0B |
DSX321G |
3225 |
38.400MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C707600CC1B |
DSX530GA |
5032 |
7.600MHZ |
10PF |
|
KDS晶振 |
1C736864CC1A |
DSX530GA |
5032 |
36.864MHZ |
8PF |
|
KDS晶振 |
1CW04000KK3C |
DSX151GAL |
11.8*5.5 |
4.000MHZ |
12PF |
