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: EPSON晶振,有源晶體振蕩器,SG-9001LB晶振

頻率：10~166MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,OSC晶振,SG-8503CA晶振

頻率：50~800MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-8101系列晶振

頻率：0.67~170MH...
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,可編程石英晶體振蕩器,SG-8003晶振

頻率：1~166MHZ
尺寸：2.5×2.0mm,3.2... 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶體振蕩器,SG-8002CE晶振

頻率：1~125MHZ
尺寸：3.2×2.5mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片振蕩器,SG5032CAN晶振

頻率：1~75MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片晶振,SG2016CAN晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,貼片有源晶振,SG2016CAA晶振

頻率：1.2~75MHZ
尺寸：2.0×1.6mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,有源晶振,SG-211SEE晶振,SG-211SEE 26.0000MT3

頻率：2.375~60MH...
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應,起振后可直接驅動CMOS 集成電路,“SG-211SEE 26.0000MT3”產品本身已實現與薄型IC（TSSOP封裝,TVSOP封裝）同樣的1mm厚度,斷開時的消費電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應自動搭載及IR回流焊接（無鉛對應）產品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應對不同IC產品需要.

: EPSON晶振,進口有源晶振,SG-210STF晶振,SG-210STF 24.0000ML0

頻率：1~75MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

貼片式石英晶體振蕩器,低電壓啟動功率,并且有多種電壓供選擇,“SG-210STF 24.0000ML0”比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產品被廣泛應用于,平板筆記本,GPS系統,光纖通道,千兆以太網,串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發射基站等領域.符合RoHS/無鉛.

: EPSON晶振,2520貼片晶振,SG-210SEH晶振

頻率：80~170MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

: EPSON晶振,石英晶體振蕩器,SG-210SED晶振

頻率：50~80MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

: EPSON晶振,有源晶振,SG-210SEBA晶振,SG-210SEB 26.0000MF3

頻率：2~60MHZ
尺寸：2.5×2.0mm 晶振技術
參數資料

小體積有源石英晶體振蕩器，在生產時需要在完全凈化車間，“SG-210SEB 26.0000MF3”,在密封的機器設備中測良，封裝等技術1.防止外界氣體進入組件體內受到污染和增加應力的產生；2.使組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發及生產超小型、超薄型石英晶體元器必須攻克的關鍵技術之一。

: EPSON晶振,EG-4121CA晶振,EG-4101CA晶振,貼片有源晶振,EG-4101CA 156.2500M-LGWAL

頻率：100~700MHZ
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，“EG-4101CA 156.2500M-LGWAL3”,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2121CB晶振,EG-2102CB晶振,貼片型聲表濾波器,EG-2102CB 156.2500M-LGP

頻率：100~700MHZ
尺寸：5.0×3.2mm 晶振技術
參數資料

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，“EG-2102CB 156.2500M-LGPAL3”,是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2101CA晶振,聲表面濾波器,EG-2101CA 62.500M-DCHL3

頻率：62.5~100MH...
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

小型貼片石英晶振主要采用了，“EG-2101CA 62.500M-DCHL3”先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良。

: EPSON晶振,EG-2021CA晶振,OSC振蕩器

頻率：62.5~250MH...
尺寸：5.0×7.0mm 晶振技術
參數資料

小型貼片石英晶振主要采用了，先進的晶片的拋光工藝技術，是晶體行業中石英晶片研磨技術中表面處理的最高技術，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，大大的降低諧振電阻，使精度得到了很大的提升。改變了傳統的生產工藝，使產品在各項參數得到了很大的改良。

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