日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片
日本進(jìn)口晶振DSB 221SDN系列中的1XXB16368MAA晶振,尺寸2.5x2.0mm,為2520石英貼片,頻率16.368MHZ,KDS晶振,石英晶體振蕩器,TCXO溫補(bǔ)晶振,有源晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器,石英有源晶振,2520mm有源晶振,溫補(bǔ)石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,低抖動(dòng)溫補(bǔ)晶振,低電壓溫補(bǔ)晶振,低相位溫補(bǔ)晶振,低相噪溫補(bǔ)晶振,低耗能溫補(bǔ)晶振,高質(zhì)量溫補(bǔ)晶振,移動(dòng)電話溫補(bǔ)晶振,2520石英晶體振蕩器,GPS全球定位系統(tǒng)晶振,測(cè)試設(shè)備有源晶振,空中雷達(dá)有源晶振,6G電信有源晶振,交換機(jī)有源晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用有源晶振,具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn)。
該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動(dòng)通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測(cè)量儀表中。
溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(tcxo)包括數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器和微機(jī)補(bǔ)償晶體振蕩器。器件內(nèi)部采用模擬補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)或數(shù)字補(bǔ)償方式、利用晶體負(fù)載電抗隨溫度的變化而補(bǔ)償晶體元件的頻率-溫度特性,以達(dá)到減少其頻率-溫度偏移的晶體振蕩器。
日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片參數(shù)表
| 類型 | DSB221SDN (TCXO) |
| 頻率范圍 | 9.6 至 52MHz |
| 標(biāo)準(zhǔn)頻率 | 16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz |
| 電源電壓范圍 | +1.68 to +3.5V |
| 電源電壓 (VCC) | +1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V |
| 電流消耗 |
+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26 |
| 輸出電平 | 0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled) |
| 輸出負(fù)載 | 10kΩ//10pF |
| 頻率穩(wěn)定性 |
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C
±0.5×10-6,±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
|
| 啟動(dòng)時(shí)間 | 最大 2.0ms |
| 包裝單位 | 3000 個(gè)/卷 (Φ180) |
日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片 尺寸圖
日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材SsA料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。




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