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首頁 NDK晶振

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振

產(chǎn)品簡介

LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振，日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸：2.0×1.6×0.7mm；電源電壓：+2.5V或+3.3V；低相位抖動(dòng) : Max. 100fs @156.25MHz；為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心，光模塊，DSP時(shí)鐘。差分晶振常用于高精度的時(shí)鐘應(yīng)用，如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和精密儀器等。它的優(yōu)點(diǎn)包括低相位噪聲、低抖動(dòng)和高頻率穩(wěn)定性，能夠滿足一些對時(shí)鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號，差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振，擁有LVDS，LVPECL，HCMOS 等輸出方式，我們常見的是貼片差分晶振，體積有微小型也有大體積，常規(guī)的輸出方式是 LVDS，因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法，軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。

產(chǎn)品詳情

LH-1 LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振

差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號，差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振，擁有LVDS，LVPECL，HCMOS 等輸出方式，我們常見的是差分貼片晶振，體積有微小型也有大體積，常規(guī)的輸出方式是 LVDS，因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說法，軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
日本NDK晶振NP2016SA型號的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該2016晶振尺寸：2.0×1.6×0.7mm；電源電壓：+2.5V或+3.3V；低相位抖動(dòng) : Max. 100fs @156.25MHz；為無鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心，光模塊，DSP時(shí)鐘。差分晶振常用于高精度的時(shí)鐘應(yīng)用，如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和精密儀器等。它的優(yōu)點(diǎn)包括低相位噪聲、低抖動(dòng)和高頻率穩(wěn)定性，能夠滿足一些對時(shí)鐘信號質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場景。

LH-2 LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振

規(guī)格	符號	值		單位
額定頻率	fnom	100 ≦ F ≦ 170		MHz
尺寸大小 (L×W×H)	-	2.0×1.6×0.7		mm
電源電壓	Vcc	2.5/3.3		V
消耗電流（工作時(shí)）	ICC	Max. 60		mA
消耗電流（斷開時(shí)）	IST	Max. 300		μA
輸出規(guī)格	-	LVPECL		-
負(fù)載電容	CL	50		Ω
儲(chǔ)存溫度范圍	Tstr	-55 to +125		℃
工作溫度范圍	Topr	-40 to +85	-40 to +105	℃
綜合頻率允許偏差	Δf/fnom	Max. ±50		ppm
輸出電壓	VOL	Max. VCC-1.5		V
輸出電壓	VOH	Min. VCC-1.1		V
上升時(shí)間,下降時(shí)間	tr/tf	Max. 0.5		ns
波形對稱	SYM	45 to 55		%
起振時(shí)間	tsu	Max. 10		ms
相位抖動(dòng)	tpj	Max. 100		fs
規(guī)格料號 (Vcc=2.5V)	-	NSC5438A	NSC5441A	-
規(guī)格料號 (Vcc=3.3V)	-	NSC5438B	NSC5441B	-

LH-3 LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振

LH-4 LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振

所有晶振產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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