用于振蕩器優(yōu)化的多維分段多項(xiàng)式陣列補(bǔ)償M-SAC技術(shù)

多維分段陣列補(bǔ)償(M-SAC)技術(shù)是改善振蕩器環(huán)境性能的平臺(tái).M-SAC技術(shù)的環(huán)保方法補(bǔ)償可以集成到分立振蕩器,定制ASIC或系統(tǒng)級(jí)硬件中.技術(shù)進(jìn)步通過為用戶提供基本上優(yōu)越的曲線擬合工具,石英晶體振蕩器補(bǔ)償?shù)默F(xiàn)有技術(shù)水平.與其他不同當(dāng)代擬合方法,用戶可以定義最大誤差限制,M-SAC方法將找到解決方案符合這個(gè)標(biāo)準(zhǔn).這適用于一維誤差,例如頻率與溫度或多維誤差,例如調(diào)整效果(頻率與控制電壓與溫度的關(guān)系).使用M-SAC補(bǔ)償工具,可以擬合數(shù)據(jù)降到噪音水平.

什么是M-SAC?傳統(tǒng)的振蕩器補(bǔ)償方案利用整個(gè)數(shù)據(jù)集的單多項(xiàng)式擬合.這種方法幾十年來,從熱敏電阻網(wǎng)絡(luò)到現(xiàn)代的五階多項(xiàng)式ASIC都有所改進(jìn).這些方法最終受到限制,因?yàn)?/span>ASIC中的晶振和函數(shù)發(fā)生器都不會(huì)產(chǎn)生"完美的"多項(xiàng)式.M-SAC技術(shù)通過將解決方案分解為適合a的區(qū)段,提供卓越的曲線擬合更好的程度.該算法分析輸入的最大允許殘差和斜率公差用戶并計(jì)算由滿足用戶標(biāo)準(zhǔn)的段組成的解決方案.為此,M-SAC算法評(píng)估一組可能的函數(shù),并為解密度選擇最佳函數(shù).下面的圖1,圖2,圖3說明了M-SAC技術(shù)將為您的溫度補(bǔ)償晶振提供的優(yōu)勢(shì)架構(gòu)和技術(shù)清晰,為最先進(jìn)的技術(shù)提供了實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)目前正在整個(gè)行業(yè)中使用.

ERD的M-SAC知識(shí)產(chǎn)權(quán)是大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境的理想選擇.由于分段性質(zhì),數(shù)據(jù)可以適合與測(cè)試運(yùn)行同時(shí)進(jìn)行,以便在運(yùn)行結(jié)束時(shí)需要最小數(shù)量的運(yùn)算,從而最大化吞吐量.對(duì)于一維數(shù)據(jù),解決方案時(shí)間僅為幾秒,對(duì)于多維數(shù)據(jù),解決時(shí)間僅為30秒.如果使用伴隨ERD測(cè)試硬件,通過在所有通道上同時(shí)提供數(shù)據(jù)采集來優(yōu)化測(cè)試和解決方案時(shí)間并采用專有方法減少石英振蕩器溫度測(cè)試中常見的錯(cuò)誤.

圖1顯示了COTS2.0mm×1.6mmTCXO的頻率-溫度性能和配合用單個(gè)五階多項(xiàng)式實(shí)現(xiàn).TCXO晶振的固有性能約為967ppb峰-峰值.這基本上是市場(chǎng)上大多數(shù)TCXO ASIC提供的當(dāng)前最先進(jìn)的性能今天.如圖1所示,此擬合的殘余峰峰值誤差約為170ppb.錯(cuò)誤減少是5.7比1.M-SAC技術(shù)允許用戶定義適合的可接受誤差水平.用戶定義的錯(cuò)誤50-ppb峰-峰值,M-SAC解析了三段溶液,峰-峰殘留誤差為42ppb.這個(gè)合適上表圖2顯示了殘余誤差,只有21個(gè)存儲(chǔ)元件.

該技術(shù)實(shí)現(xiàn)了改進(jìn)23比1超過了固有的表現(xiàn).M-SAC的強(qiáng)大之處在于,只要用戶不受數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的影響,數(shù)據(jù)就可以適應(yīng)噪聲限制.圖3顯示了相同的數(shù)據(jù)集,其中用戶定義的誤差為2ppb峰-峰值.解決方案是在指定限制內(nèi)但使用25個(gè)段,需要132個(gè)存儲(chǔ)元素.這導(dǎo)致了理論上的結(jié)果改善483比1.M-SAC技術(shù)是唯一允許用戶定義剩余誤差限制的OSC晶振擬合模式結(jié)果.高級(jí)工具還允許用戶定義斜率限制,從而為用戶提供更多控制和精度在適合和最終的解決方案.

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