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Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振，AbraconCrystal艾博康晶振，美國進口晶振，ABM8G是一款小體積晶振尺寸3.2x2.5x1.0mm晶振，頻率范圍：12MHz~50MHz，陶瓷封裝四腳貼片晶振，ABM8G-16.384MHZ-4Y-T3石英晶振，ABM8G-24.000MHZ-B4Y-T無源晶振，石英晶體諧振器，超微型陶瓷玻璃密封SMD晶體，玻璃密封封裝確保高可靠性和高溫操作，緊密的公差和穩定性，可用的紅外回流能力，低成本版本的ABM8晶體，應用于高密度應用，調制解調器、通信設備晶振，測試設備晶振，PMCIA、無線網絡晶振，藍牙模塊晶振，汽車電子晶振，醫療設備等應用。

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Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振，參數圖

Abracon晶振規格	單位	ABM8G貼片晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	12~50.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C～+85°C	裸存
工作溫度	T_use	-10°C～+60°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW～100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6(標準), (±15 × 10-6～±50 × 10-6可用)	+25°C對于超出標準的規格說明,請聯系我們以便獲取相關的信息,
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C～+70°C	超出標準的規格請聯系我們.http://www.cnlifecy.cn/
負載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負載電容要求,請聯系我們.
串聯電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C,DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6/ year Max.	+25°C,第一年

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Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振，尺寸圖

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Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振

1：抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2：輻射
將貼片晶振暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害,因此應避免陽光長時間的照射.
3：化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品.
4：粘合劑
請勿使用可能導致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質量,降低性能.）
5：鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振
6：靜電
過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進行接地操作. LH-5

Abracon艾博康晶振ABM8G,ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T通訊晶振

Abracon llc晶振減少污染物排放,對不可再生的資源進行有效利用.減少廢物的產生,對其排放的責任進行有效管理,有效地使用能源.通過設計工藝程序對員工進行培訓保護環境以及人們的健康和安全.提供安全使用和廢置我們的石英晶振、溫補晶體振蕩器、差分晶振、有源晶振、石英晶體諧振器的信息,對環境有重大健康安全和環境的運營現狀進行糾正.

Abracon llc晶振保持就健康安全環境問題與臨近攝取進行對話.通過在環境控制方面實施優秀的管理實踐,以保護環境和與強生公司全球運作相關的自然資源.向員工灌輸環境價值觀,在所有的壓控石英晶體振蕩器（VCXO）、壓電石英晶體、有源晶體和生產過程中應用最佳環境實用技術,為全球可持續發展做出貢獻.

原廠編碼	品牌	型號	系列	頻率	包裝/封裝
ABM8G-12.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	12MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-12.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	12MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-25.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	25MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-24.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	24MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-16.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	16MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-25.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	25MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-24.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	24MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-12.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	12MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-16.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	16MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-26.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	26MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-14.7456MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	14.7456MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-20.000MHZ-18-D2Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	20MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-25.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	25MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-16.384MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	16.384MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-12.288MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	12.288MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-16.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	16MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-24.576MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	24.576MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-13.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	13MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-18.432MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	18.432MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-19.6608MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	19.6608MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-24.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	24MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-26.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	26MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-28.63636MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	3225晶振	28.63636MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-30.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	30MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-33.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	33MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-40.000MHZ-4Y-T3	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	40MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-32.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	32MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-16.384MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	16.384MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-26.000MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	26MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-12.288MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	12.288MHz	4-SMD, No Lead
ABM8G-18.432MHZ-B4Y-T	Abracon晶振	ABM8G	MHz Crystal	18.432MHz	4-SMD, No Lead